半导体物理汇总.pptVIP

一般来说：n型半导体中：δn n0，δp n0。 p型半导体中：δn p0，δp p0。 1.5.1载流子的产生与复合 过剩载流子 小注入：过剩载流子浓度远小于平衡态时的多子浓度 要说明的是即使满足小注入条件，非平衡少子浓度仍然可以比平衡少子浓度大得多!!! 因此相对来说非平衡多子的影响轻微，而非平衡少子的影响起重要作用。通常说的非平衡载流子都是指非平衡少子。 大注入：过剩载流子浓度接近或大于平衡时多子的浓度 * 热平衡状态下，导带中的电子可能会落入价带中，从而带来过剩电子-空穴的复合过程。 也可以说半导体由非平衡态恢复到平衡态的过程，也就是非平衡载流子逐步消失的过程，称为非平衡载流子的复合。 1.5.1载流子的产生与复合 过剩载流子 3、非平衡载流子的复合： * 4、过剩少子的寿命　 光照停止后非平衡载流子生存一定时间然后消失，所以过剩少子浓度是一个与时间有关的量。把撤除光照后非平衡载流子的平均生存时间τ称为非平衡载流子的寿命。 由于非平衡少子的影响占主导作用，故非平衡载流子寿命称为少子寿命。 为描述非平衡载流子的复合消失速度，定义单位时间单位体积内净复合消失的电子-空穴对数为非平衡载流子的复合率。 1.5.1载流子的产生与复合 过剩载流子 * 按复合过程中载流子跃迁方式不同分为： 直接复合：是电子在导带和价带之间的直接跃迁而引起电子-空穴的消失； 间接复合：指电子和空穴通过禁带中的能级(称为复合中心)进行的复合。 按复合发生的部位分为体内复合和表面复合。 伴随复合载流子的多余能量要予以释放，其方式包括发射光子(有发光现象)、把多余能量传递给晶格或者把多余能量交给其它载流子(俄歇复合)。 1.5.1载流子的产生与复合 过剩载流子 5、非平衡载流子几种不同的复合形式： * 1.5.1载流子的产生与复合 过剩载流子 过剩载流子的产生与复合相关符号 * 1.5.2过剩载流子的性质 连续性方程 空穴连续性方程： 电子连续性方程： p表示空穴密度；t表示时间；FP+表示空穴粒子的流量(个/cm2s) ；gp表示空穴产生率；τpt包括热平衡载流子寿命和非平衡载流子寿命； * 1.5.2过剩载流子的性质 与时间有关的扩散方程 与时间有关的扩散方程 n0p0与空间时间无关 * 1.5.3双极输运 双极输运 外加电场 感应内建电场 带负电的电子和带正电的空穴以同一个迁移率或扩散系数一起漂移或扩散的现象称为双极输运。 * * * 确定晶格中的电子特性，确定晶体中大量电子的统计学特性。 * 确定晶格中的电子特性，确定晶体中大量电子的统计学特性。 玻尔兹曼分布函数 费米分布函数中，若E-EFkT，则分母中的1可以忽略，此时 上式就是电子的玻耳兹曼分布函数。 同理，当EF-EkT时，上式转化为下面的空穴玻耳兹曼分布 * 1.3　平衡半导体 * 基本概念 平衡状态： 没有外界影响(如电压、电场、磁场或温度梯度)作用在半导体上的状态。 本征半导体： 没有杂质原子和缺陷的纯净晶体。 载流子： 能够参与导电，荷载电流的粒子:电子、空穴。 * 本征半导体中究竟有多少电子和空穴？ n0表示导带中平衡电子浓度 p0表示价带中平衡空穴浓度 本征半导体中有： n0=p0 =ni ni为本征载流子浓度 ni的大小与什么因素有关？ T、Eg * 1.3.1半导体中载流子 电子空穴的平衡分布 导带电子浓度与价带空穴浓度 要计算半导体中的导带电子浓度，必须先要知道导带中能量间隔内有多少个量子态。 又因为这些量子态上并不是全部被电子占据，因此还要知道能量为E的量子态被电子占据的几率是多少。 将两者相乘后除以体积就得到区间的电子浓度，然后再由导带底至导带顶积分就得到了导带的电子浓度。 导带电子的分布 价带空穴的分布 * 1.3.1半导体中载流子 n0 p0的方程 热平衡时的电子浓度n0 这里假设费米能级始终位于禁带中。 积分下限：Ec；积分上限：这里设为无穷大。 由于EEC; EC-EFkT 所以有 E-EFkT * 1.3.1半导体中载流子 n0 p0的方程 引入中间变量 ，得到 为伽马函数，其值为 * 1.3.1半导体中载流子 n0 p0的方程 其中 称为导带有效状态密度，因此 同理可以得到价带空穴浓度 其中 称为价带有效状态密度 * 1.3.1半导体中载流子 本征载流子浓度 本征半导体： 本征激发： 不含有任何杂质和缺陷。 导带电子唯