6无机材料的电导-1解析.pptVIP

* * * * * * * * * * 微观本质，即宏观电导率σ与微观载流子的浓度n，每一种载流子的电荷量q以及每种载流子的迁移率的关系。 将主要依据此式来讨论电导的性能。 载流子的迁移率的物理意义为： 载流子在单位电场中的迁移速度。 该式反映电导率导率的一般表达式为 * * 第二节 离子电导 离子晶体中的电导主要为离子电导 * * 1．源于晶体点阵的基本离子的运动——固有离子电导（或本征电导）。 特点：离子自身随着热振动离开晶格形成热缺陷。这种热缺陷无论是离子或者空位都是带电的，因而都可作为离子电导载流子。显然固有电导在高温下特别显著。 一.离子电导类型 对于晶体的离子电导可以分为两类： 2．固定较弱的离子的运动造成的（主要是杂质离子）——杂质电导。 特点：杂质离子是弱联系离子，所以在较低温度下杂质电导表现得显著。 * * 1.对于固有电导(本征电导) 载流子由晶体本身热缺陷——弗仑克尔缺陷和肖特基缺陷提供。 1)弗仑克尔缺陷浓度 弗仑克尔缺陷的填隙离子和空位的浓度是相等的，都可表示为 式中N为单位何种内离子结点数，Ef为形成一个弗仑克尔缺陷(即同时生成一个填隙离子和一个空位)所需要的能量，k为波尔兹曼常数，T为热力学温度(K′) 2)肖特基空位浓度 式中N为单位何种内离子对的数目，Es为离解散一个阴离子和一个阳离子并到达表面甩需要的能量。 二．载流子浓度 * * 因为，热缺陷的浓度（N）决定于温度T和离解散能E。所以 （1）常温下，T小，kT＜＜E，所以N小； 高温下，T大，kT↑，N也↑，所以固有电导也显著 （2）E与晶体结构有关 要离子晶体中，肖特基缺陷形成能＜弗仑克尔缺陷形成能，只有在结构很松，离子半径很低小的情况下，才易形成弗仑克尔缺陷。 3）讨论 * * 杂质离子载流子的浓度决定于杂质的数量和种类。因为杂质离子的存在，不仅增加了电流载体数，而且使点阵发生畸变，杂质离子离解活化能变小。 在低温下，离子晶体的电导主要由杂质载流子浓度决定。 2．杂质电导 * * 间隙离子处于间隙位置时，受周围离子的作用，处于一定的平衡位置(称此为半稳定位置)。如果它要从一个间隙位置跃入相邻原子的间隙位置，需克服一个高度为U0的“势垒”。完成一次跃迁，又处于新的平衡位置(间隙位置)上。如右图所示。 三．离子迁移率 离子电导的微观机构为载流子--离子的扩散。 * * 考虑某一间隙离子由于热运动，越过位垒跃迁到邻近间隙位置的情况。根据玻尔兹曼统计规律，单位时间沿某一方向跃迁的次数为 （6.42） 式中ν0为间隙离子在半稳定位置上振动的频率。 存在疑问： U0一般相当大，远大于一般的电场能 热运动能是间隙离子迁移所需要能量的主要来源。 通常热运动平均能量仍比U0小很多。 * * 间隙离子在晶体中各方向的“迁移”次数都相同，宏观上无电荷定向运动，故介质中无电导现象。 由于电场力的作用，晶体中间隙离子的势垒不再对称，如图5.12，对于正离子，受电场力作用，F=qE，F与E同方向，因而正离子顺电场方向“迁移”容易，反电场方向“迁移”困难。 1.无外加电场时 2.有外加电场时 * * 顺电场方向填隙离子单位时间内跃迁的次数为 逆电场方向填隙离子单位时间内跃迁的次数为 （6.34） （6.35） 设电场E在δ／2距离上(δ为相邻半稳定位置间的距离)造成的位势差ΔU=F·δ／2=qE·δ／2。则 * * 由此，单位时间内每一间隙离子沿电场方向的剩余跃迁次数应该为 每跃迁一次的距离为δ，所以载流子沿电场方向的迁移速度V可视为 * * 将以上二式代入(6.35)式，得沿电场方向上载流子的迁移率为 : 注意：不同类型的载流子,在不同的晶体中,其扩散时所需克服的势垒都是不同的，由表6.4看出，空位扩散能＜间隙离子扩散能，因此碱卤晶体的电导主要为空位电导。 通常离子迁移率约为10-13 ——10-16m2／(s·V)。 故载流子沿电流方向的迁移率为 （6.48） * * 如果本征电导主要由肖特基缺陷引起，其本征电导率可写成 四．离子电导率 1．离子电导的一般表达式 载流子浓度及迁移率确定以后，其电导率可按σ=nqμ确定。 本征离子电导： 杂质离子电导： 杂质电导率比本征电导率大的多，因而离子晶体中，主要以杂质电导为主。 * * 只有一种载流子： 以lnσ和l/T为坐标，可绘得一直线，从直线斜率B可求出活化能 W=Bk 对于碱