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哈工大半导体物理真题
哈尔滨工业大学 第 1 页 共 2 页 二○○ 二 年硕士研究生考试试题
考试科目:半导体物理 报考专业:微电子学与固体电子学
考试科目代码：[ ]
考生注意：答案务必写在答题纸上，并标明题号。答在试题上无效。
解释下列名词或概念：
1．重空穴、轻空穴 6. k空间等能面
2. 表面态 7. 热载流子
3. 载流子散射 8. 格波
4. 本征半导体 9. 陷阱中心
5. 少子寿命 10. 光电导灵敏度
简述杂质在半导体中的作用。
简述理想p-n结光生伏特效应，画出开路条件下的能带图（12分）；根据理想光电池电流电压方程，确定开路电压VOC和短路电流ISC表达式（8分 ，设 p-n结反向电流为IS，光生电流为IL。
以p型硅MOS结构为例，画出可能测得的高频和低频C-V特性曲线，说明如何确定平带电压（10分）；若SiO2层中存在Na+离子，曲线将如何变化？如何通过实验确定其面密度（10分）？ 第 2 页 共 2 页
五、 如图所示，有一均匀掺杂的ｐ型半导体（非高阻材料），在稳定光照下，体内均匀地产生非平衡载流子，且满足小注入条件，产生率为gｎ，半导体内部均匀掺有浓度为Nt的金，电子俘获系数为rn。仅在一面上存在表面复合，表面复合速度为Sｎ，载流子的扩散系数为Dｎ，试确定非平衡载流子的分布。
光照
ｐ型半导体
表面复合
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