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Optical Navigation Division Advanced Wireless Semiconductor Division Advance Wireless Semiconductor Division HunterSun Electronics Co., Ltd. Confidential and Proprietary 薄膜体声波谐振器及其制造方法 关文海 2015年2月3日 申请号9 公开日：2003年10月22日 申请人：三星电机株式会所 背景技术 具有反射层的FBAR 具有反射层的现有技术中FBAR的剖视图 具有气隙的现有技术中的FBA剖视图 具有气隙的FBAR 缺点 解决的方法——提供支撑层 带有支撑层的气隙结构的FBAR 缺点 翼尖问题 上述问题的解决方法 剖视图 第一特性 剖视图 第二特性 制造步骤 a 一、绝缘层的形成 绝缘层102可以通过以下两种方法： 二、牺牲层的形成 b 三、气隙形状的形成 覆盖光刻胶 刻蚀 c d 四、支撑层的形成 e f 覆盖一层绝缘材料，绝缘材料可以是氮化硅、为氧化硅、氧化铝等 五、激活区的形成 g h 六、电极的形成 i 电极107、109的材料可以用Al、W、Au、Pt等 七、气隙的刻蚀 通过通孔H3来对多晶硅进行刻蚀，形成气隙A3。 注意事项：在干刻蚀过程前在约140摄氏度的温度烘焙该FBAR