基于M5796L的一种IGBT驱动电路设计方案.docVIP

基于M57962L的一种IGBT驱动电路设计方案IGBT的概念是20世纪80年代初期提出的。IGBT具有复杂的集成结构，它的工作频率可以远高于双极晶体管。IGBT已经成为功率半导体器件的主流。在10～100 kHz的中高压大电流的范围内得到广泛应用。IGBT进一步简化了功率器件的驱动电路和减小驱动功率。 IGBT的开通和关断是由栅极电压来控制的。 　　当栅极施以正电压时，MOSFET内形成沟道，并为PNP晶体管提供基极电流，从而使IGBT导通。此时从N+区注入到N-区的空穴 少子 对N-区进行电导调制，减小Ⅳ区的电阻Rdr ，使阻断电压高的IGBT也具有低的通态压降。当栅极上施以负电压时。MOSFET内的沟道消失，PNP晶体管的基极电流被切断，IGBT即被关断。 　　在IGBT导通之后。若将栅极电压突然降至零，则沟道消失，通过沟道的电子电流为零，使集电极电流有所下降，但由于N-区中注入了大量的电子和空穴对，因而集电极电流不会马上为零，而出现一个拖尾时间。 　　2 驱动电路的设计 　　2.1 IGBT器件型号选择 　　1 IGBT承受的正反向峰值电压 　　考虑到2-2.5倍的安全系数，可选IGBT的电压为1 200 V。 　　2 IGBT导通时承受的峰值电流。 　　额定电流按380 V供电电压、额定功率30 kVA容量算。选用的IGBT型号为SEMIKRON公司的SKM400GA12