Plasma-enhancedchemicalvapordepositionsynthesisofverticallyorientedgraphenenanosheets技术总结.ppt

Plasma-enhanced chemical vapor deposition synthesisof vertically oriented graphene nanosheets 1.Introduction 这篇综述主要概述了使用PECVD法生长VG的最新研究，同时对生长源的设计和操作参数提出了指导。主要有以下几个方面： 2.各种不同的等离子体源和VG生长的反应装置 2.1微波等离子体：一种高频电磁辐射的无电极气体放电等离子体。主要有两种模式：横向电场（TE）和横向磁场（TM）模式。 2.2射频等离子体：VG生长的一种流行的能量源。主要有三种模式：渐消失的电磁场模式（Ｈ），扩散波模式（Ｗ）和静电模式（Ｅ）。 2.3直流等离子体：使用不同电极装置进行直流辉光放电。两种模式：平行板ＤＣ辉光放电和针尖ＤＣ辉光放电。 ３.前驱体 3.1碳源：碳氢化合物和碳氟化合物是大多数PECVD系统中碳源的最常用的选择。碳氢自由基在VG生长中有巨大的作用。 3.2非固定形态碳的蚀刻：在最初的成核环境中，为了得到高品质的纳米岛，非固定形态碳的有效清除是至关重要的。 3.3氩气：氩被加入PECVD系统有以下原因： （1）相对高的激励和电离的电压，能加强PECVD进程，进一步提高 等离子体的稳定性。 （2）能够加强VG生长的重要物质的形成。 （3）强稳定性和低反应率，提高所获产品的纯度。 3.4氮气：作为PECVD系统中非固定形态碳的有效的蚀刻剂，也会改变原生VG的形态和结构。 3.5气体比列：这是VG合成中重要一环，从某种程度上说，决定了最后沉淀出来的东西的种类，同样也影响原生VG的形态和结构。 4.温度 PECVD系统的VG生长通常在一个相对的温度下进行，与T-CVD系统相比。衬板温度也是PECVD系统中非常重要的，它对表面反应动力的影响很强。 5.压力 影响等离子体性质和生长进程的一个重要参数。气体电离的压力由Paschen定律决定 6.衬板 6.1预处理：常规方法是在丙酮和乙醇中对衬板进行超声清洗，随后是用氢氟酸和去离子水清洗氧化物。 6.2图形生长：通过控制生长时间，在选定区域设计好的形态和结构的VG的图形生长是可能实现的。 6.3圆柱形衬底：用于一些特殊的实际应用的VG的生长。 6.4碳纳米管衬底：有更好的实际应用。