半导体表面与MIS结构技术总结.ppt

* * 本章内容提要 表面态 表面电场效应 MIS结构C-V特性 硅－二氧化硅系统 表面电导 8 半导体表面与MIS结构 PSG N-Si P+ P- P+ N+ N+ CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例 表面：固体与真空之间的分界面。 界面：不同相或不同类的物质之间的分界面 。 固体有限 表面 界面 周围的环境相互作用 物理和化学特性产生很大影响 新兴的多学科 综合性边缘学科 主要内容 表面电场效应 表面态 表面电导及迁移率 硅－二氧化硅系统（了解） MIS结构电容－电压特性 清洁表面 ：一个没有杂质吸附和氧化层的实际表面 真实表面：由于环境的影响，实际接触的表面往往 生成氧化物或其他化合物，还可能有物理吸附层， 甚至还有与表面接触过的多种物体留下的痕迹。 8.1 表面态 1.理想表面和实际表面 理想表面：表面层中原子排列的对称性与体内原子完全相同， 且表面不附着任何原子或分子的半无限晶体表面。 实际表面 清洁表面 表面驰豫：沿垂直表面方向偏离平衡位置 表面重构：沿平行表面方向偏离平衡位置 总结： “表面”并不是一个几何面，而是指大块晶体的三维周期结构与真空之间的过渡区，它包括了所有不具有体内三维周期性的原子层。 硅理想表面示意图 表面能级示意图 一定条件下，每个表面原子在禁带中对应一个表面能级 2.表面态 体内：周期性势场因晶体的不完整性（杂质原子或晶格缺陷） 的存在而受到破坏时，会在禁带中出现附加能级。 表面：在垂直表面的方向上破坏了原来三维无限晶格的周期性 晶格电子的势能在垂直表面的方向上不再存在平移对称性 哈密顿的本征值谱中出现了一些新的本征值 附加电子能态（表面态） 形成机理： 达姆 Tamm 表面态：晶格中断引起，能量位于禁带中（1932年）， 与杂质能级相联系的表面态 肖克莱 shockley 表面态：（源于原子能级）晶格常数小于某一数值以至能带发生交迭时才可能分裂出两个位于禁带当中的定域于表面的能态（1939年）,与势场在两原子层中间突然终止相对应 存在状态： 本征表面态：即清洁表面的电子态，表面驰豫和表面重构对表面电子 态影响大（没有外来杂质） 外诱表面态 ：表面杂质，吸附原子和其他不完整性产生 表面态特性： 可以成为半导体少数载流子有效的产生和复合中心，决定了表面复合的特性。 对多数载流子起散射作用，降低表面迁移率，影响表面电导。 产生垂直半导体表面的电场，引起表面电场效应。 补充：金属半导体接触及其能级图（复习） 与电子作用： 类施主态：空态时带正电，被一个电子占据后为中性的表面态 类受主态：空态时为中性，被一个电子占据后带负电的表面态 金属和半导体的功函数 功函数：金属中的电子从金属中逸出，需由外界供给它 足够的能量，这个能量的最低值被称为功函数 Wm E0 - EF m 金属中的电子势阱 半导体的功函数和电子亲和能 E0为真空电子能级 Ws E0 - EF s x E0 - Ec Ws x + [Ec- EF s] x + En En Ec- EF s 电子亲和能 8.2 表面电场效应 1.表面电场的产生 表面态与体内电子态之间交换电子 金属与半导体接触时，功函数不同，形成接触电势差 半导体表面的氧化层或其它绝缘层中存在的各种电荷，绝缘层 外表面吸附的离子 MOS或MIS 结构中，在金属栅极和半导体间施加电压时 离子晶体的表面和晶粒间界 2.空间电荷层和表面势（金属与半导体间加电压） 外加表面电场 空间电荷层 空间电荷层：为了屏蔽表面电场的作用，半导体表面所形成有一定宽度的“空间电荷层”或叫“空间电荷区”，其宽度从零点几微米到几个微米。 表面势 MIS结构 表面空间电荷区内能带的弯曲 假设：金半接触的功函数差为零；绝缘层内无电荷； 绝缘层与半导体界面处不存在任何界面态。 表面电场和表面势 注意研究的区域 金属中自由电荷密度高，电荷分布在一个原子层的厚度 自由载流子密度要低得多 表面势：空间电荷层内的电场从表面到体内逐渐减弱直到为零，电势发生相应变化，电势变化迭加在电子的电位能上，使得空间电荷层内的能带发生弯曲，“表面势VS”就是为描述能带变曲的方向和程度而引入的。 表面电场可以改变表面电导 表面空间电荷层的电荷与Vs有关，表现出电容效应 表面电势比内部高时取正值。 表面势及空间电荷区内电荷的分布情况随金属与半导体间所加电压VG而变化，分为堆积、耗尽和反型三种情况。 由波耳兹曼统计，表面层载流子浓度ns、ps和体内平衡载流子浓度n0、p0的关系为： 理想MIS结构（p型）在各种VG下的表面势和空间电荷分布 （a）多子堆积；（b）多子耗尽；（c）反型 VG＝V0＋VS（V0