第四章热电式-热电阻-集成温度传感器2013重点分析.ppt

4.4 集成温度传感器 集成电路温度传感器是将作为感温器件的温敏晶体管及其外围电路集成在同一芯片上的集成化温度传感器（integrated temperature sensor）。 优点：是测温精度高、复现性好、线性优良、体积小、热容量小、稳定性好、输出电信号大、使用方便和成本低廉等。 缺点：是测量范围仅为 -80 ~ 150℃。 因此，在最近十年内集成电路温度传感器得到了迅速发展，成为半导体温度传感器的主要发展方向之一。目前，商品化的集成电路温度传感器已经广泛用于温度检测、控制、补偿等场合。 4.4 集成温度传感器 4.4 集成温度传感器 （1）模拟集成温度传感器 时间：20世纪80年代问世； 工艺：硅半导体集成工艺制作而成 信号输出：模拟电压或电流。 特点：测温误差小、价格低、响应速度快、传输距离远、体积小、微功耗等,适合远距离测温、控温,不需要进行非线性校准,外围电路简单。 应用范围：最普遍 典型产品：AD590、AD592、TMP17、LM35等。 4.4 集成温度传感器 （2）智能温度传感器 时间：20世纪90年代中期问世； 名称：亦称数字温度传感器。是微电子技术、计算机技术和自动检测技术(ATE)的结晶 构成：温度传感器、A/D转换器、信号处理器、存储器(或寄存器)和接口电路等集成在一片芯片上。有的产品还带多路选择器、 CPU。 特点：测温范围150℃;输出温度数据及相关的温度控制量；在硬件的基础上，通过软件实现测试功能,其智能化程度也取决于软件的开发水平。 发展新趋势：进入21世纪后,向高精度、多功能、高可靠性及安全性、总线标准化、虚拟传感器和网络传感器等高科技的方向迅速发展 典型产品：DS18B20 4.4.1 集成温度传感器的基本原理 集成温度传感器的基本原理： 利用PN结构的伏安特性与温度之间关系研制成的一种固态传感器。 式中 U0——T=0℃时的Ube值，K——波尔兹曼常数； T——发射结所处的温度；q——电子电量； Ie——集电极电流；A——为与温度、结构、材料等多种因素有关的函数。 NPN三极管的结电压是温度的函数： 4.4.1 集成温度传感器的基本原理 图中，V1,V2为一对镜像管，它们的Ube相等，集电极电流相等，I1=I2；V3,V4为温度检测用晶体管，二者的发射极面积不同，其面积比为m，R上的电压为V3,V4的Ube的差值ΔUbe 输出电流 当R,m 一定时，输出电路与温度有良好的线性关系。 4.4.2 集成温度传感器举例 –40 ℃ ~ +105℃ 电流 1 uA/K Analog Devices TMP17 DALLAS Analog Devices National Semiconductor Analog Devices 公司 -55 ℃ ~+125 ℃ -40 ℃ ~+80 ℃ -55℃~+150℃ -40℃~+125℃ -40 ℃ ~100 ℃ 0 ℃~100 ℃ 测温范围 20mV/℃ 10mV/℃ 1uA/K 灵敏度 6.68元 单总线结构 DS18B20 2元 电压 TMP36 1~4美元/Kpcs 电压 LM135/ 235/335 34元 电流 AD590 单价 输出信号 名称 典型产品及特点 举例：模拟型集成温度传感器 电流输出型 举例：AD590 特点：能产生一个与绝对温度成正比的电流作为输出。 工作温度范围：-50～+150 ℃ 4.4.2 集成温度传感器举例 4.4.2 集成温度传感器举例 4.4.2 集成温度传感器举例 传感器与检测技术 天津工业大学电气工程与自动化学院 主讲 王红一 内容回顾 第四章 热电式传感器 4.1 概述 4.2 热电偶 4.2.1 常用热电偶及其结构 4.2.2 热电偶的测温原理、基本定律及温度补偿 4.2.3 热电偶的应用 被测量 温度(?) 电阻变化(?R)、电势变化、磁导率变化、热膨胀变化。 内容回顾 1、常用热电偶的分类及其结构 1）普通型热电偶 2）铠装热电偶 3）薄膜热电偶 2、热电偶的测温原理？ 热电效应：将不同的导体或半导体组成闭合回路。当两个接合点温度T 和 T0不同时，则在该回路中就会产生电动势。 热电偶回路产生的电动势 两种导体的接触电势 单一导体的温差电势 内容回顾 3、热电偶基本定律： （1）均质导体定律：均匀导体（或半导体）组成的闭合回路不产生热电势； （2）中间导体定律： —接入导体和仪表测量热电势的条件和基础。 （3）中间温度定律： —参考温度计算修正法的理论依据，为热电势分度奠定理