第7章金属化范例.ppt

第7章 金属化 金属化是芯片制造过程中在绝缘介质薄膜上淀积金属薄膜以及随后刻印图形以便形成互连金属线和集成电路的孔填充塞的过程。这一过程类似于汽车工业中用表面绝缘的铜线连通所有电组件以形成全功能的电系统。金属线被夹在两个介质绝缘层中间形成电整体。高性能的微处理器用金属线在一个芯片上连接几千万个器件。随着互连复杂性的相应增加，到2010年，每个芯片上晶体管的密度预计将达到十亿个。 由于需要减小信号的传播延迟，对于未来集成电路的性能来说微芯片的互连技术已经成为关键的挑战。由于超大规模集成电路组件的密度增加，互连电阻和寄生电容也会随之增加，因此降低了信号的传播速度。 在芯片制造技术中，目前刚刚起步的明显变化是减小金属互连的电阻率ρ，这种减小通过用铜取代铝作为基本的导电金属而实现。对深亚微米的线宽，需要低k层间介质（ILD）。电容导致信号延迟，降低介电常数将减少寄生电容。 传统上认为，在芯片上淀积金属薄膜的过程是物理过程，另一方面淀积绝缘和半导体层的过程涉及CVD化学反应过程。随着新的IC金属化技术引入，这种物理和化学过程的分界线变得越来越模糊。 7.1 引言 芯片金属化是应用化学或物理处理方法在芯片上淀积导电金属薄膜的过程。这一过程与介质的淀积紧密相连，金属线在IC电路中传导信号，介质层则保证信号不