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reading report 刘煜 2015.10.31 1. 制备工艺 MoS2–MoSe2 and WS2–WSe2 lateral heterostructures are growed by in situ modulation of the vapour-phase reactants during growth of these two-dimensional crystals. 1. 制备工艺 2. 表征 Raman and photoluminescence mapping studies demonstrate that the resulting heterostructure nanosheets exhibit clear structural and optical modulation. 2. 表征 Raman and photoluminescence mapping studies demonstrate that the resulting heterostructure nanosheets exhibit clear structural and optical modulation. 3. 光电特性 Electrical transport studies demonstrate that the WSe2–WS2 heterojunctions form lateral p–n diodes and photodiodes, and can be used to create complementary inverters with high voltage gain. 3. 光电特性 线性I-V关系说明金属接触势垒没有影响到器件的固有性质。 不同的背栅电压下的表现，显示了材料的 p n 特性。 ？具体如何测 3. 光电特性 探究了pn结的光响应特性，开路电压约为0.47V,短路电压约为1.2nA. 响应时间约为100us。表明了电流来自于载流子的分离和复合。 3. 光电特性 * 文献 ：Lateral epitaxial growth of two-dimensional layered semiconductor heterojunctions (from nature nanotechnology. Dec. 2014 vol9 1. 制备工艺 2. 表征 3. 光电特性 遇到的问题： 1. 第一次生长的材料若暴露于周围环境，则其边缘原子易受到干扰而钝化，不利于对第二次外延生长。 2. 原子尺寸的TMD并不稳定，第一次生长的材料忍受不了第二次生长所需要到温度等环境因素的变化。 supporting information supporting information WS2 WSe2 Raman 355.4cm-1 419cm-1 256cm-1 PL 665nm 775nm 与单独测两种材料的RAMAN和PL时的峰值一致 结论： 1.表征了两种材料 2.材料之间没有间隙 WS2-WSe2 WS2-WSe2 1.low-resolution TEM 2.high-angle annular dark-field (HAADF) TEM 3.A selected area electron diffraction (SAED) (两种材料六边 形的晶格结构（结构相似，取向相同)) 每个散射点都有两个散射峰，对应两 种不同的衍射峰值，对应两种不同的 晶格距离 4.TEM. 确定了异质结结构上的连续性， 即两种材料之间没有间隙 1. EDS（能量色散光谱学） 显示了W、S、Se的分布 两种材料之间无间隙 2. EDS的线扫描显示了S、Se的分布 变化情况。中间有35nm左右宽的 过渡带。 MoS2 MoSe2 Raman 381.5cm-1 403cm-1 235cm-1 284.5cm-1 PL 680nm 790nm 与单独测两种材料的RAMAN和PL时的峰值相比，MoS2的RAMAN峰和PL峰发生了红移 结论： 1.表征了两种材料 2.材料之间没有间隙 MoS2-MoSe2 原因： Se的影响 MoS2-MoSe2 1.(h)low-resolution TEM 2.A selected area electron diffraction (SAED) (两种材料六边形 的晶格