扩散离子注入重点分析.ppt

2）机械扫描：离子束固定，硅片机械移动。一般用于大电流注入机。 扫描外半径 扫描内半径 溢出杯 旋转 离子束 3.10 离子注入设备 3）平行扫描：离子束先静电扫描，然后通过一组磁铁， 调整它的角度，使其垂直注入硅片表面，从而减小阴影效应。 3.10 离子注入设备 5. 工艺腔 工艺腔包括扫描系统、具有真空锁的装卸硅片的终端台、硅片传输系统和计算机控制系统。 硅片冷却：硅片温升控制在50℃以下，使用气冷和橡胶冷却。 3.10 离子注入设备 离子注入机的终端台 3.10 离子注入设备 第三章习题 书中第17章： 3、12、13、14、15 、30、53、55、56 第三章作业 1. 什么是扩散？什么是离子注入？掺杂的工艺目的是什么？ 2. 什么是方块电阻及结深？ 3. 列举4种常用杂质并说明它们是N型还是P型。 4. 什么是两步扩散工艺？ 5. 与扩散相比离子注入的优点有哪些？ 6. 离子注入退火的工艺目的？为什么杂质需要激活？ 7. 离子注入的应用有哪些？ 第三章作业 8. 在P型〈100〉衬底硅片上，进行As离子注入，形成P-N结二极管。已知衬底掺杂浓度为1×1016cm-3，注入能量：100KEV，注入剂量：5.0E15/cm2，试计算砷离子注入分布的最大掺杂浓度Nmax和注入结深。 基于硅制备硅基集成电路，对硅有两个最最基本的要求，