CaCu_3Ti_4O_12_MgTiO_3陶瓷的介电性能与I_V非线性特征.docx

物 理 学 报Acta Phys. Sin.Vol. 60，No. 3 (2011)037701CaCu3 Ti4 O12 -MgTiO3 陶瓷的介电性能 与 I-V 非线性特征*曹蕾刘鹏周剑平王亚娟苏丽娜刘成( 陕西师范大学物理学与信息技术学院，西安710062)(2010 年 1 月 27 日收到;2010 年 6 月 7 日收到修改稿)采用固相反应法制备了一系列 CaCu3 Ti4 O12 － xMgTiO3 ( x = 0，0. 25，0. 5，1. 0) 复相陶瓷，研究了 MgTiO3 掺杂 对 CaCu3 Ti4 O12 ( CCTO) 陶瓷相结构、显微组织、介电性能和 I-V 非线性特征的影响. 研究发现:MgTiO3 掺杂不仅使 CCTO 低频介电损耗降低，压敏电压提高，而且使 I-V 非线性系数显著增大. 电学性能的改善与由 MgTiO3 掺杂后导 致晶粒尺寸均匀化，晶界厚度减薄且绝缘性提高有关. 其中，CaCu3 Ti4 O12 -0. 5MgTiO3 陶瓷具有良好的综合电学性 能:εr = 53958，tanδ = 0. 06(1 kHz) ，压敏电压 Eb = 295 V / mm 且非线性系数 α = 66. 3.关键词: I-V 非线性系数，巨介电常数，压敏电压PACS: 77. 22. Gm，77. 22. Jp，77. 22. － d1. 引言随着微电子技术和产业的发展，电 子器件日益 小型化和集成化，高 介电常数材料有着越来越广阔 的应用前景. 近几年来，CaCu3 Ti4 O12 ( CCTO) 以其巨 介电常数 ( 105 ) ，良 好的介电常数温度稳定性和电 流-电压( I-V) 非线性特征引起研究学者的广泛关 注［1—7］. 文献［4］测得 CCTO 两个晶粒之间的 I-V 非线性系数 α 高达 912，并 指出该材料有望应用于传 感器或变阻器. 但是实际 CCTO 陶瓷材料所表现的 非线性系数 α 只有 3 左右［8—18］，通过掺杂改性，α 可 以提高到 7. 9［12］，这 一数据与目前广泛使用的 ZnO ( α 50［19，20］) 和 SrTiO3 变阻器相比，仍显太小. 因 此，提高 CCTO 陶瓷非线性系数是此材料应用于变 阻器领域必须解决的问题.掺杂改性［9—18，21，22］是改善材料性能的有效手 段，目前文献报道的通过掺杂来优化 CCTO I-V 非线 性行为的方法主要有在 CCTO 中掺杂 Eu2 O［311］， TiO［212］ 和 Bi2 O［313］ 等 金 属 氧 化 物. 本 文 研 究 了 MgTiO3 掺杂对 CCTO 陶瓷的相结构、显微组织、介 电性能和 I-V 非线性特征的影响，以 期望获得具有巨介电常数、低损耗和高 I-V 非线性系数 α 的综合 性能较好的介电材料.2. 实验方法本实 验 采 用 传 统 的 固 相 反 应 法 制 备 了CaCu3 Ti4 O12 -xMgTiO3 ( x = 0，0. 25，0. 5，1. 0) 陶瓷 样品. 使用高纯的 CaCO3 (99. 99% ) ，CuO(99. 9% ) ， TiO2 (99. 99% ) 和 MgTiO3 ( 99. 5% ) 试剂为原料，按 照一定的化学配比混合后进行球磨，在850 ℃ 下预 烧 6 h，再次球磨后，加入适量的黏合剂，压制成直径 为 11. 5 mm、厚约 1 mm 的薄片，所有样品在1100 ℃下烧结 10 h. 烧结好的样品经磨平、被银后在500 ℃下烘 30 min 以备测试.采用日本 Rigaku 公司的 D / max-2550 / PC 型 X射线衍射仪对样品进行物相与结构分析;采用荷兰Philips-FEI 公司 Quanta 200 型扫描电子显微镜 ( 配 有能量色散 X 射线( EDX) 谱测试装置 ) 观察样品的 微观结构;采用 Agilent E 4980A 型阻抗分析仪测试 样品的介电性能;采用美国 Radiant Premier Ⅱ型铁 电材料分析仪测试样品的压敏电压和 I-V 非线性 系数.国家自然科学基金( 批准号:和 资助的课题.通讯联系人. E-mail: liupeng@ snnu. edu. cn2011 中国物理学会 Chinese Physical Societyhttp: / / wulixb. iphy. ac. cn037701-1物 理 学 报Acta Phys. Sin.Vol. 60，No. 3 (2011)037701实验结果与讨论1 为不同组分的 CaCu3 Ti4 O12 -xMgTiO3 ( x = 0，0. 25，0. 5，1. 0) 陶瓷的 XRD