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第三章 半导体中载流子的统计分布 引言 1.热平衡状态：在一定的温度下，没有其他的外界作用，电子从价带跃迁到导带（本证激发），形成导带电子和价带空穴或者通过杂质电离的方式，电子从施主能级跃迁到导带产生导带电子；电子从价带激发到受主能级产生价带空穴，这一过程称为载流子的产生；与其相反的过程，即电子从高能量的量子态跃迁到低能量的量子态，并向晶格放出一定的能量，从而导带电子和价带空穴不断减少的过程称为载流子的复合。在一定的温度下，这两个相反的过程之间的动态平衡称为热平衡状态。这时，导带的电子浓度和价带空穴浓度保持一个稳定的数值，热平衡状态下的导电电子和空穴称为热平衡载流子。 2.热平衡状态载流子浓度的计算： 允许的量子态按能量如何分布； 电子在允许的量子态中如何分布； §3.1状态密度 一、概念 表示在能带中能量E附近每单位能量间隔内的量子态数。 二、计算状态密度的步骤 首先算出单位k空间中的量子态数，即k空间中的量子态密度； 然后算出k空间中与能量E~(E+dE)间所对应的k空间体积，并和k空间中的量子态密度相乘，从而求得在该能量间隔的量子态数dZ； 最后，根据式(1)求得状态密度g(E). 三、k空间中量子态的分布 k空间就是以波矢k的三个互相正交的分量kx、ky、kz为坐标轴的直角坐标系所描写的空间。 kk只能取分立值，而不能取任意值，其允许值为： 其中，LV=L3是晶