第四章离子注入导论.pptVIP

第四章 离子注入 第四章 离子注入(Ion Implantation) § 4.1 前言 § 4.2 离子注入系统 § 4.3 离子注入原理 § 4.4 离子注入损伤及其退火处理 § 4.5 离子注入在集成电路中的应用 § 4.1 前言 ? 什么是离子注入 将某种元素的原子经离化变成带电的离子 在强电场中加速，获得较高的动能后，射入材料表层（靶） 以改变这种材料表层的物理或化学性质 离子注入优点 各种杂质浓度分布与注入浓度可通过控制掺杂 剂量(1011-1016cm-2)和能量(10-200KeV)来达到 掺杂均匀(1% variation across 8’’ wafer) 横向分布大大小于扩散方法 表面浓度不受固溶度限制，可做到浅结低浓度 或深结高浓度 注入元素可以非常纯，杂质单一性 可用多种材料作掩膜(如金属、光刻胶、介质.)，可防止沾污，自由度大。 低温过程（因此可以用光刻胶作为掩膜），避免了高温过程引起的热扩散。 离子注入的局限 会产生缺陷，甚至非晶层，必须经高温退火加以改进 产量较小 设备复杂 有不安全因素(如高压、有毒气体) 会引入沾污 第四章 离子注入(Ion Implantation) § 4.1 前言 § 4.2 离子注入系统 离子注入系统的组成 剂量测量原理 § 4.3 离子注入原理 § 4.4 离子注入损伤及其退火处理 § 4.