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3 国家自然科学基金资助课题 采用磁控管方式溅射的电子回旋共振 等离子体沉积技术的研究3 汪建华　袁润章 (武汉工业大学, 武昌430072) 邬钦崇　任兆杏 (中科院等离子体物理研究所) 喻宪辉 (湖北省交通学院) 　　摘要　将磁控管方式溅射用于微波ECR 等离子体沉积技术。在低气压和低温下沉积了高度C 轴取 向的ZnO 薄膜, 其膜的沉积速率比普通ECR 溅射中所得到的速率大得多, 并且在5 12cm 的膜区域内 显示出良好的均匀性。 关键词　磁控管方式　溅射　ECR 等离子体　ZnO 薄膜 Study of an Electron Cyclotron Resonance Pla sma Depos it ion Techn ique byMagnetron M ode Sputter ing W ang J ianhua, Yuan Runzhang, W u Q inchong, Ren Zhaox ing, Yu Xianhu i (W uhan P oly technic U niv. , W uchang 430072) 　　Abstract　M agnet ron mode spu t tering w as app lied to an elect ron cyclo t ron reso2 nance (ECR ) p lasm a depo sit ion techn ique, ZnO f ilm w ith an excellen t crystal o rien tat ion w as depo sited at low temperatu res and low gas p ressu res, w ith m uch h igher rates than tho se ob tained in conven t ional ECR react ive spu t tering and good un ifo rm ity of depo si2 t ion f ilm in 5 12cm. Keywords　M agnet ron mode　Spu t tering　ECR p lasm a　ZnO f ilm 1　引　言 溅射是在真空条件下沉积薄膜的最重要的 工艺之一。自80年代以来, 磁控管溅射方法在制 造计算机磁盘及其他器件中起着非常重要的作 用, 它比DC 溅射, RF 溅射具有更高的沉积速 率。然而, 就这种方法沉积金属化合物而言, 难 以满足反应溅射中的高沉积速率和完全反应的 要求, 即改变薄膜的化学计量比, 制作高质量 薄膜是有困难的。为了控制薄膜的成分、晶体结 构、晶粒大小和缺陷, 必须研究膜制备技术, 开 发新的膜制备方法。 微波ECR 等离子体方法来源于可控核聚 变研究中的电子回旋共振加热(ECRH) 技术。 经过二十多年的研究与发展, 80年代起逐步被 开拓应用到材料科学中来。ECR 等离子体比 DC、RF 放电产生的等离子体具有无极放电、离 化率高的特点。在低气压下产生高密度的等离 子体, 并受磁场约束, 减少了等离子体与器壁 的相互作用。用发散磁场的微波ECRP CVD 技 术, 可在室温下(无须加热基片, 由于等离子 体加热效应基片温度一般不超过50℃, 有时会 升高, 但不超过150℃) 沉积出Si3N 4、SiO 2、a2 Si÷H 等优质膜[ 1, 2 ] , 在低温下气相外延生长 GaA s 膜[ 3 ]、金刚石薄膜[ 4 ]、BN 膜[ 5 ]。并且用微 波ECRP CVD 技术已成功地制备了高质量的 薄膜[ 6 ]。 本文报道了采用磁控管方式在低气压下产 生了ECR 等离子体, 实现了磁控管方式溅射, 研究了该溅射法的放电特性, 并在低温下沉积 出高度C 轴取向的ZnO 薄膜。 2　实验装置 图1示出微波ECR 等离子体溅射装置, 使 用2145GHz 的微波源, 功率连续可调(0～ 5千 瓦)。微波通过BJ 22标准的矩形波导, 经石英窗 口引入等离子体室。室外周围通有一定电流磁 体线圈(水冷) , 在室内适当的区域产生ECR 条 件的磁场(875高斯)。在10- 2帕低气压下, 波与 电子发生共振, 耦合电离中性气体, 产生高密 度的等离子体。磁场强度从等离子体室到膜沉 积室逐渐减小。如图2所示。所产生的ECR 等离 子体中的离子在靶电压的作用下, 对圆筒状金 属靶产生溅射。在发散磁场的作用下, 溅射粒子 在靶口前方的基片上沉积出薄膜。 图1　微波ECR 等离子体溅射装置 磁控管方式溅射用的圆筒靶放置在水冷靶 座上。溅射气体(A r) 引入等离子体室, 而反应 图2　腔内磁场位形分布 气体O 2引入沉积室。装置的抽气系统由机械泵 (抽速为8L