复旦高等院校微电子半导体器件第三章电导率.pptVIP

第三章 电导率和迁移率 载流子散射 电导率和迁移率 电导率和温度的关系 强电场效应 影响电子迁移率（单位外电场作用下电子在电场方向的平均速度）的因素？ 外加电场破坏了热平衡 热平衡 在恒定外电场的作用下电子的状态在k空间作匀速运动 前面讲的是理想情况下：也就是晶体中原子的位置固定不动，而且原子在空间的排列没有任何缺陷。 这时如果有恒定外电电场作用,电子的状态在k空间作匀速运动： 理想情况下，全部被电子填满的能带中的电子在电场作用下不会有净电流。未被电子填满的能带中的电子在电场作用下会出现往复运动，从而出现电流的振荡。实际情况下由于散射存在阻碍了该现象的发生。 晶体内部载流子散射的因素 晶格振动散射； 晶格缺陷散射； 电离杂质和中性杂质散射。 晶格振动散射 在常温下，单晶体中的原子在它的平衡位置附近作微振动，称为晶格振动。晶格振动有许多种模式。 晶格振动能量也是量子化的，和光子类似引入声子。 声子有能量也有准动量，通常会有比光子大得多的准动量。 电子和晶格振动之间交换能量和准动量可以看作电子吸收声子或放出声子从而获得或失去声子的能量和准动量。 对于某种单晶可以用理论计算出在一定温度下声子的数量、它们的能量和准动量之间的关系、它们的能量分布等。 长声学波散射 在通常情况下锗、硅单晶体长声学波散射占据重要地位。 把电子发生两次散射之间的时间称为自由时间，理论计算得出长声学波散射的平均自