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综合复习题 一、填空 1、电涡流传感器的物理效应是 电涡流效应 ，压电传感器的物理效应是 压电效应 ，电阻式应变式传感器的物理效应是 电阻应变效应 。 2、利用光生伏特效应可制成 光电池 光电器件，利用外光电效应可制成 光电管 和 光电倍增管 光电器件，利用内光电效应可以制成 光敏电阻 、 光敏二极管 和 光敏三极管 光电器件。 3、热电偶传感器的原理是 热电效应 ，产生的热电动势是由接触电动势 和温差电动势 两部分组成分。 4、具体来说，传感器的选用应从测量对象和测量环境 、灵敏度 、频率响应特性、线性范围、 稳定性 、 精度 方面考虑。 4、常用的差动式电感传感器有变隙式、变面积式及螺线管式三种。 6、电容式传感器可分为_变面积式__ ___变间隙式__ _变介电常数式__三种类型 7、分辨力是指规定测量范围内能检测输入量的_最小变化的能力_______。 8、根据载波受调制的参数不同，调制可分为调幅、调频和调相三种。 9、欲测量变化范围为0~2000C的温度应选择热电阻温度传感器，测量20000C的高温应选择热电偶温度传感器。 10、选择填空 电阻应变片?磁敏电阻?霍尔元件?气敏传感器?湿敏传感器 光电耦合器?压电传感器 电容传感器?热敏电阻?CCD电荷耦合器 压阻式传感器?光纤传感器?磁电传感器?光电二极管 ?差动变压器 热释电器件?电涡流传感器?光电池?超声波传感器 热电偶? ?红外传感器? 正确选择以上传感器填入以下空内： （1）可以进行位移测量的传感器有差动变压器、电阻传感器； （2）可以完成温度测量的有热电偶、热敏电阻；热释电； （3）半导体式传感器是磁敏电阻、霍尔元件、气敏传感器、压阻传感器； （4）光电传感器有光电耦合器、光纤传感器、光电二极管； （5）用于磁场测量的传感器霍尔器件； （6）进行振动（或加速度）测量的传感器磁电传感器、压电传感器； （7）利用物体反射进行非电量检测的传感器超声波传感器、红外传感器； 11、通常传感器由敏感元件、转换元件、基本转换电路三部分组成，是能把外界非电量转换成电量的器件和装置。 12、金属丝在外力作用下发生机械形变时它的电阻值将发生变化，这种现象称应变效应；固体受到作用力后电阻率要发生变化，这种现象称压阻效应。 13、差动变压器式传感器理论上讲，衔铁位于中心位置时输出电压为零，而实际上差动变压器输出电压不为零，我们把这个不为零的电压称为零点残余电压；利用差动变压器测量位移时，如果要求区别位移方向（或正负）可采用相敏检波电路。 14、把一导体（或半导体）两端通以控制电流I，在垂直方向施加磁场B，在另外两侧会产生一个与控制电流和磁场成比例的电动势，这种现象称霍尔效应，这个电动势称为霍尔电势。外加磁场使半导体（导体）的电阻值随磁场变化的现象称磁阻效应。 15、某些电介质当沿一定方向对其施力而变形时内部产生极化现象，同时在它的表面产生符号相反的电荷，当外力去掉后又恢复不带电的状态，这种现象称为正压电效应；在介质极化方向施加电场时电介质会产生形变，这种效应又称逆压电效应。 16、在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称外光电效应；入射光强改变物质导电率的现象称光电导效应；半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称光生伏特效应。 17、块状金属导体置于变化的磁场中或在磁场中作切割磁力线运动时，导体内部会产生一圈圈闭合的电流，利用该原理制作的传感器称电涡流传感器；这种传感器只能测量金属物体。 18、不同的金属两端分别连在一起构成闭合回路，如果两端温度不同，电路中会产生电动势，这种现象称热电效应；若两金属类型相同两端温度不同，加热一端时电路中电动势E =0。 19、.利用电涡流位移传感器测量转速时，被测轴齿盘的材料必须是__金属_____。 20、热电偶电动势由__温度差_____电动势和接触电动势两部分组成。 21、.采用___交流____电源供电的电桥称为交流电桥。 22、光电器件主要包括：光敏电阻、光电二极管、光电晶体管、光电池、 和 光电耦合器 。 23、对自动控制系统的基本要求 24、传递函数定义。（若已知传递函数，如何求解特征参数，如何求阶跃响应) 25、控制系统的数学模型的性质。 26、稳定的判断依据。 28、一阶、二阶系统特征方程的系数都是正数是系统稳定的什么条件。 二、名词解释 1.应变效应:：电阻丝在外力作用下发生机械变形时，其阻值发生变化，此种现象称为电阻应变效应。 2.霍尔效应:：通电半导体放在均匀磁场中，在垂直于电场和磁场的方向产生横向电场，这种现象叫霍尔效应。 3.压电效应: 某些晶体受一定方向外力作用而发生机械变形时，相应地在一定的