新型辅助蒸发度子源介绍.docVIP

新型辅助蒸发镀（等）离子源 --微波ECR单栅离子源介绍 合肥研飞电器科技有限公司 一、离子辅助蒸发镀膜技术 真空蒸发是制备介质薄膜的主要方法，它历史悠久，工艺成熟，使用广泛。但是同时也存在严重的缺陷:产品质地疏松、牢固性差、容易损坏。 离子辅助蒸发镀膜是以荷能离子为特征的近代镀膜新工艺，参见图1-1。在镀膜之前进行清洗，在镀膜中进行辅助沉积薄膜，使得薄膜产品的性能及力学性能得到大幅提高。这种新工艺适合镀增透膜、眼镜镀膜、光纤光学镀、高反镜、热/冷反光镜、低漂移滤波器、带通滤波器和类金刚石沉积等。 宽束离子源是离子辅助蒸发镀膜技术的关键。实际上，通常意义上的离子源包含了等离子束源和离子束源。等离子束源：离子能量是分布式的（数十到数百eV可调），束较宽，散角达几十度（参见图1）。离子束源：离子能量是单能，从100eV-2000eV可调；束较窄，散角仅几度。从源结构，操控，维护和性价比几方面来比较，人们总是希望选择等离子束源。 辅助蒸发镀（等）离子源的研发进程 在很长一段时间里，直流激励热阴极Kuafmna离子源[1]（参见图2-1）是镀膜设备的标准装备。但Kuafmna离子源用热阴极，存在杂质污染，需频繁更换；不能使用与氧、氮等反应气体[2],参见图2-2；在高端产生中使用APS(Advanced Plasma Source)[3]，参见图2-3。 霍尔源的缺点很明显：(