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因此在向90nm进化过程中遇到的困难也远远高于以前的技术升级，然而，这也为顺利向65nm技术节点发展打下了良好的技术基础。在90nm制造工艺中，采用多项新技术和新工艺。其中应变硅(Strained Silicon)、绝缘硅(SOI，Silicon on insulator)、铜互连技术、低K介电材料的引入等是主要特点。 1、应变硅技术(Strained Silicon)　　应变硅技术是英特尔的90nm工艺中最主要的特色技术。晶体管是一个小开关，决定了电流的通与断，而在现实世界中，我们无法完全地控制电流，必须借助一些附加技术。AMD的SOI(Silicon-on-insulator，绝缘体硅片)就是为了防止泄漏电流和停止电流活动而设计的，应变硅则刚好相反，是为了驱动电流流动而设计的。 　　将待应变硅片放在一种特殊的硅锗底基上，这种硅锗底基的原子间距离比待应变硅片原子间距离大，受底基原子作用，硅片中的原子也将向外运动，彼此间拉开距离，从而减少对电流的阻力。应变硅有效地扩展了晶体管通道区域，把硅直接放到底层的顶部，可以预留更多的空间，更好地扩展到底层上，使上面的硅原子直接和低层相匹配，延伸硅元素到合适的通道中。　　硅原子有更多的空间后，电阻减少了，增加了电流通过的数量。最终结果是使电流流动强度提高了10—20%，或者使当前的电流更加顺畅，从而提高了晶体管的运行速度，提高了