第3章 第2讲 MOS晶体管的瞬态特性.pptVIP

长沟道MOS器件模型 3.1.1 MOS晶体管阈值电压分析 3.1.2 MOS晶体管电流方程 3.2.1 MOS晶体管的亚阈值电流 3.2.2 MOS晶体管的瞬态特性 3.2.3 MOS器件模型 MOS晶体管的瞬态 MOS晶体管的本征电容 MOS晶体管的寄生电容 与MOS晶体管有关的电容 1 MOS晶体管的本征电容 Meyer电容模型 沟道区反型层电荷 线性区本征电容 饱和区本征电容 截止区的本征电容 本征电容的简单分区模型 工作区 CGB CGS CGD 截止区 WLCox 0 0 线性区 0 1/2 WLCox 1/2WLCox 饱和区 0 2/3 WLCox 0 本征电容随VGS的变化 2 MOS晶体管的寄生电容 源、漏区pn结电容 栅-源、栅-漏覆盖电容 栅-衬底覆盖电容 MOS晶体管的瞬态分析模型 MOSFET电容的简化模型 * * 3个集总电容： 导通后 源、漏区pn结电容 Bottom Side wall Side wall Channel Source N D Channel-stop implant N A 1 Substrate N A W x j L S