西电模电——第5章 双极型晶体管及其放大电路.ppt

三. 输出电阻 级联放大器的输出电阻就是最末级的输出电阻Ron，如图所示。只是在计算Ron时应将前级的输出电阻Ro(n-1)作为其信号源内阻，即 例题 放大器如图所示，试计算该电路的交流指标。 画交流通路 解： 　　实际应用的放大器，除了要有较高的放大倍数之外，往往还对输入、输出电阻及其它性能提出要求。根据三种基本放大电路的特性，将它们适当组合，取长补短，可以获得各具特点的组合放大器。 2-8-3　组合放大器 一、共集—共射(CC–CE)组合放大器　　 CC–CE组合放大器的交流通路如所示。 特点：输入电阻大； 特点： 输出电阻小，带负载能力强； 二. 共射—共集(CE–CC)组合放大器 例题 放大电路如图所示。已知晶体管β=100, rbe1=3kΩ, rbe2=2kΩ, rbe3=1.5kΩ，试求放大器的输入电阻、输出电阻及源电压放大倍数。 　 解：电路为直接耦合的CC–CE–CC组合放大器。电路采用正、负电源使输入和输出端的直流电位为零。用VZ和VD1分别垫高V2，V3管的射极电位，而对交流可视为短路。 (1). 输入电阻Ri (2). 输出电阻Ro: (3). 源电压放大倍数 Aus 三. CE–CB组合放大器 交流通路 特点： 输入电阻极小的共b电路作为共e放大器负载，大大减弱了共射放大管内部的反向传输效应。其结果，一方面提高了电路高频工作时的稳定性，另一方面明显改善了放大器的频率特性。正是这一特点，使得CE–CB组合放大器在高频电路中获得广泛应用。 CE–CB组合放大器的增益，相当共e电路的电压增益和电流增益，输入电阻为CE的Ri而输出电阻为CB的Ro，即 作业 P71 2-33, 2-34， 2-35(a),(b),(c)。 　 求该放大器的工作点ICQ、UCEQ ； 1. 要求源电压放大倍数最大。此时 解：应接成射极接地的共发射极组态，即 ①接信号源，②为输出端，③端接地。 2. 要求输出Uo≈－US; 解：应接成射极接电阻的共发射极组态，即 ①接信号源，②为输出端，③端开路。 3. 要求输出Uo≈US; 解：应接成共集电极组态，即 ①接信号源，②端接地或开路，③为输出端。 若接成共基极组态，即 ①端接地，②为输出端，③接信号源，将如何？ 4. 要求接上RL=1kΩ的负载时， Uo≈|US|，并求Ro=？ 解：应接成共集电极组态，即 ①接信号源，②端接地或开路，③接负载RL为输出端。 5. 要求同时获得一对大小相同极性相反的输出信号。 解：应分别接成共集和共射组态，并同时输出，即 ①接信号源，②为反相输出端，③为同相输出端。 当两个输出端分别接上数值不大的相同负载时，将如何？ [例题3] 1.如何设置工作点，使共集放大器的动态范围UOPP最大？ 2.如何进一步提高共集放大器的输入电阻。 1. 已知UCC、RE 和 RL如何设置工作点ICQ，使共集放大器的动态范围UOPP最大？ 自举电路 2. 如何进一步提高共集放大器的输入电阻。 基极偏置电阻使Ri减小。 加自举电容C后，N点电位跟随输入Ui变化，使RB上的电流IRB大大减小，提高了偏置电路的等效输入电阻。 作业 P70 2-25, 2-29， 2-30， 2-31。 3-4 场效应管放大器 3-4-1. 场效应管偏置电路 IDQ UGSQ 耗尽型MOS 一.自偏压电路 （只适用于结型和耗尽型管） 二. 分压式偏置(或混合偏置)电路 （适用于各种类型的场效管） EMOS DMOS JFET 3-4-2 场效应管的低频小信号模型 简化 恒流区 该电路的性能指标分析如下： 3–4–3. 场效应管放大器分析 与晶体管放大器类似，场效应管也有三种基本放大组态，即共源、共漏和共栅放大电路。 一、共源放大器 当源极接有电阻或源极电容开路时的情况 二、共漏放大器 共漏放大器电路及其等效电路分别如图所示。 输出电阻Ro Ugs=Uo 三、共栅放大器 共栅放大器电路及其等效电路分别如图所示。 本次课的主要内容 一. 多级放大器的耦合方式 二. 多级放大器性能指标的