电力电子学第2章复习题及思考题.docVIP

第2章 复习题及思考题 1、PN结——半导体二极管在正向电压接法下（简称正偏），外加电压所产生的外电场 与内电场方向相反，因此PN结的内电场被削弱。内电场所引起的多数载流子的漂移运动被削弱，多数载流子的扩散运动的阻力减小了，扩散运动超过了反方向的漂移运动。大量的多数载流子能不断地扩散越过交界面，P区带正电的空穴向N区扩散，N区带负电的电子向P区扩散。这些载流子在正向电压作用下形成二极管正向电流。二极管导电时，其PN结等效正向电阻很小，管子两端正向电压降仅约1V左右（大电流硅半导体电力二极管超过1V，小电流硅二极管仅0.7V，锗二极管约0.3V）。这时的二极管在电路中相当于一个处于导通状态（通态）的开关。PN结——半导体二极管在反向电压接法下（简称反偏）外加电压所产生的外电场与原内电场方向相同。因此外电场使原内电场进一步增强。多数载流子（P区的空穴和N区的电子）的扩散运动更难于进行。这时只有受光、热激发而产生的少数载流子（P区的少数载流子电子和N区的少数载流子空穴）在电场力的作用下产生漂移运动。因此反偏时二极管电流极小。在一定的温度下，二极管反向电流RI在一定的反向电压范围内不随反向电压的升高而增大，为反向饱和电流SI。因此半导体PN结呈现出单向导电性。其静态伏-安特性曲线如图2.3曲线①所示。但实际二极管静态伏-安特性为图2.3的曲线②。二极管正向导电时必须外加电压超过一定的