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习题1 一、填空题 1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 ，而少数载流子的浓度则与 有很大关系。 2、当PN结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。当外加反向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。 3、在N型半导体中，为多数载流子， 为少数载流子。二．判断题 1、由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ ） 2、在N型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P型半导体。（ ） 3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。（ ） 4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。（ ） 5、PN结在无光照无外加电压时，结电流为零。（ ） 6、温度升高时，PN结的反向饱和电流将减小。（ ） 7、PN结加正向电压时，空间电荷区将变宽。（ ） 三．简答题 1、PN结的伏安特性有何特点？ 答：? 2、什么是PN结的反向击穿？PN结的反向击穿有哪几种类型？各有何特点？ 答：3、PN结电容是怎样形成的？和普通电容相比有什么区别？习题2 一、填空题 1、半导体二极管当正偏时，势垒区 ，扩散电流 漂移电流。 2、 在常温下，硅二极管的门限电压约