VLSI-04第八章光刻(上)材料.ppt

集成电路工艺原理 仇志军 zjqiu@fudan.edu.cn 邯郸校区物理楼435室 INFO130024.01 集成电路工艺原理 第八章 光刻原理 (上) 大纲 概述 第一章 晶体生长 第二章 硅氧化 第三章 扩散 第四章 离子注入 第五章 扩散淀积 第六章 外延 第八章 光刻 第九章 金属化 第十章 工艺集成 光刻的作用和目的 图形的产生和布局 35％的成本来自于光刻工艺 光刻的要求 图形转移技术组成： 掩膜版/电路设计 掩膜版制作 光刻 光源 曝光系统 光刻胶 分辨率（高） 曝光视场（大） 图形对准精度（高）——1/3最小特征尺寸 产率（throughput）（大） 缺陷密度（低） 空间图像 潜在图像 掩膜版制作 CAD设计、模拟、验证后由图形发生器产生数字图形 数字图形 ×4或×5投影光刻版 投影式光刻 ×1掩膜版制作 接触式、接近式光刻 电子束直写 熔融石英玻璃片 80nmCr 10～15nmARC（anti-reflection coating） 光刻胶 高透明度（散射小） 热膨胀小 ×4或×5投影光刻版在 制版时容易检查缺陷 版上缺陷可以修补 蒙膜(pellicle)保护防止颗粒玷污 掩模版制作过程 12. Finished 掩膜版的成品率