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VLSI设计基础 东南大学电子科学与工程学院 VLSI设计基础 东南大学电子科学与工程学院 总 复 习 2015年 章节要求: 第一、三章：理解并能够阐述相关基本概念 第二、四、五章：全部内容。能够阐述概念，理解工艺，分析问题，设计电路，计算宽长比，阅读版图并分析逻辑。 第六章第1~2节：能够根据要求采用不同的技术设计电路。 第八章第1~4节：能够分析电路构成、特点，推导电路增益并根据参数计算增益大小。 总体要求：认真读书，能够独立完成作业。 作业讲解（第2章） （5）定性解释直流导通电阻随 、 、 的增加而减小， 的增加而增加的原理。 随 作业讲解（第2章） A=8 F=8 G=8 D=8 B=3 E=8 C=8 PMOS =47 作业讲解（第2章） 作业讲解（第2章） 作业讲解（第2章） 4、（9）假设NMOS管的VTN=1V，对于一个NMOS传输门，如果VG=5.5V，Vi=5V，在输出端传输得到的电压Vo将是多少？ 解：4.5伏。 作业讲解（第4章） 1、（2）分析并解释下图的ROM结构，将ROM中的数据填入表中： 作业讲解（第4章） 2、（3）将题1电路改成动态ROM结构并画出电路。 注：每个支路（与非门）接一个NMOS管也可以，这样最下面将有8个晶