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蒸镀站介绍 徐鹏 2012-02-17 蒸镀工序 GaAs AU电工艺在蒸镀站都有哪些工艺？ 正金蒸镀、背金蒸镀、TIAU蒸镀 问题：正金蒸镀和TIAU蒸镀都镀在正面，为何不一起镀，而要分两次镀？ 蒸镀前认真核对程序号和坩埚号； 旋转坩埚确认坩埚旋转正常； 旋转镀锅检查是否掉片； 火山口掉屑 上片不牢，镀锅旋转掉片 坩埚卡住 晶圆片镀反 选错程序 ITO镀错厚度 未选程序 直接镀上一锅程序 镀错金属 Ti错拿成Ni 忘放金属源 晶圆片未镀送下一站 镀ITO忘记放陪片 隔夜蒸镀未抽真空，导致掉电极 何为蒸镀？高真空环境里，利用电子束加热蒸镀源，使蒸镀源蒸发而沉积在晶片上形成薄膜。 为了保证蒸镀膜厚的均匀性，装有wafer的镀锅在蒸镀过程中不断地进行自转和公转。 蒸镀是用物理的方法沉积薄膜，简称PVD； 而我们常见的SiO2成膜，是用化学的方法沉积薄膜，简称CVD。 现用蒸镀机共有两种蒸发方式，一种为电子蒸发，还有一种为热阻蒸发； 其原理简单描述如下： 电子束蒸发：高压电流通过电子枪灯丝，使其发出电子束，电子束打在坩埚内的蒸镀源上，将源加热到熔点附近，使其蒸发，从而进行薄膜的沉积。 热阻蒸发：通过电极给钨舟通高电流使其升温至源熔点附近，使其蒸发，从而进行薄膜的沉积。 振荡片 为什么需要高真空？ 1.使蒸发物分子免受空气分子的碰撞，直接到达晶片表面。这样一方面可避免膜层污染；另一方面可提高薄膜粘附性； 2.防止金属源在高温下与水汽或氧反应而使蒸发源断裂； 为保证以上两点，真空蒸发室内真空度必须高于10－4 Torr （1Torr=1 mm汞柱= 133.3 Pa ） 加热：对腔体亦即对晶片的加热； 加热不是蒸镀的必须条件，我们根据不同的蒸镀要求确定蒸镀程序要不要加热； 加热一般为了提高薄膜粘附性，目前有加热的蒸镀程序有： 正金蒸镀 背金蒸镀 ITO蒸镀 TIAU蒸镀 红色字体为机台蒸镀制程 目前产线在用的蒸镀机有5台，型号和使用范围如下： EI-5Z 1#：可镀正金，背金，TiAu； EI-5Z 2#：镀ITO； EI-5Z 3# ：镀TiAl； EI-5Z 4# ：可镀正金，背金，TiAu； FSE ：镀 In； 外观 显示面板 显示面板 现有蒸镀机坩埚型号有两种：1#和3#有6个，2#4#有4个，不同坩埚放不同金属源，以3#为例，坩埚号与金属源对照如下： 坩锅 1 2 3 4 5 6 金属源 钛 铝 银 铂 金 铬 Ti Al Ag Pt AU Cr 坩埚 蒸镀源添加或更换规则，如： Al、AU、Ag——每锅添加； Ti 、Ni、Pt——不定期添加（凭经验，量偏少的时候加） ； ITO 每镀一锅更换上面一块料； 颜色、重量、形状 材料 颜色 重量 形状 金(Au) 黄色 　 　 铬(Cr) 深灰色 　 　 ITO 浅黑色 　 　 铂(Pt) 银灰色 重 表面光滑，底部为圆柱状　 铝(Al) 银灰色 轻 表面花纹，底部方块状 钛(Ti) 银灰色 轻 表面花纹，底部方块状 镍(Ni) 银灰色 轻 表面光滑，底部圆柱状 必须保证蒸镀源干净，Au和Al都要求熔源后清洗 各种金属源在不使用的时候必须取出放在专用盒子，专用盒子滤纸要保持清洁 什么是熔源 把颗粒状的蒸镀源通过电子枪高温加热，使其互熔成一块表面光滑的块状源。 有些蒸镀源因其本身硬度及其他性质，无法熔源，直接使用颗粒状蒸镀，如： Cr 按单锅容量分，目前产线蒸镀机有两种，一种180片；每锅又有三个小锅，一个小锅60片； 另外一种为51片；每锅有三个小锅，一个小锅17片； 不同薄膜蒸镀时间不一样，单锅次耗时在70~150分钟不等； 机台若未用于生产时需对系统抽真空，以维持真空室的洁净度； 每天剩余的片子需放在机台内抽真空；隔日直接蒸镀 贵金属源的耗量 Au 正金 0.02g/片 厚金 0.2g/片 背金 0.003g/片 AuGe 背金 0.014g/片 AuBe 正金 0.014g/片 放金属源之前一定得用吸尘器吸干净坩埚及周边环境； 金属源要放入正确的坩埚中，并且保证金属量足够； 上片时从里到外顺时针上，下片反之； 上下片时手不能接触到晶片表面； 已上完片的镀锅