X射线光刻材料.ppt

X射线光刻技术 光刻基本介绍 在硅片表面涂胶，然后将掩模版上的图形转移到光刻胶上的过程，再通过后续加工将图形转移到硅片上 将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。 光刻在整个硅片加工成本中几乎占三分之一。 光刻占40%到50% 的流片时间。 决定最小特征尺寸。 掩模版—光刻胶—硅圆片 光刻处于晶圆加工过程的中心，一般被认为是集成电路（IC）制造中最关键的步骤，需要高性能以便结合其他工艺获得高成品率。 光刻的基本原理图 光刻的本质是把所需图形复制到待刻蚀晶圆片，电路图形首先被制作在被称作光刻掩膜版的石英膜版上，然后将图形精确、重复转印至涂有光刻胶的待腐蚀层上。利用光刻胶的选择性保护作用，对需腐蚀图形进行选择性化学腐蚀，在表面形成与光刻模板图形相同（或相反）的图形。 光刻工艺的概念 光刻的目的　　光刻实际是图形的转移，把掩膜版上的图形转移到晶圆的表面。 主要目的是用来在不同器件和电路表面形成所需的各种图形。如经常用到的局部掺杂的掩蔽图形，互连连接的金属线图形等。 光刻工艺的目标主要包括在晶圆表面建立尽可能接近设计规则中所要求的图形和晶圆表面正确地定位图形。 光刻三要素 掩模版：主体为石英玻璃，透光性高，热膨胀系数小 光刻胶：又称光致抗蚀剂，采用适当的有选择性的光刻胶，使表面上得到所需的图像。 曝光机：用于曝光显影的仪器，利用光源的波