第2讲三极管汇总.ppt

* 第一章 半导体器件 复习： 本征半导体电子——空穴——成对出现，导电性差 杂质半导体：掺入５价微量元素——Ｎ型半导体 掺入3价微量元素——P型半导体 杂质半导体导电性大大提高 PN结：单向导电 稳压二极管：反向运用（击穿特性） 1.3 半导体三极管 图 1 - 28 几种半导体三极管的外形 分类：按频率分，按功率分，按材料分，按结构分 NPN PNP 基区：薄， 掺杂浓度低 发射区：面积小, 掺杂浓度高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 集电区： 面积大,掺 杂浓度低 结构特点：3个极、3个区、2个结 1.3.1 三极管的结构及类型 B E C P P N 三个电极不能互换！ 型号： 3A(锗PNP)、3B(锗NPN)、3C(硅PNP)、3D(硅NPN) B E C IB IE IC NPN型三极管 B E C IB IE IC PNP型三极管 1.3.2 三极管的三种连接方式 图 1 - 30 三极管的三种连接方式 一. 三极管放大的外部条件 B E C N N P UBB RB UCC RC 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 1. 3. 3 三极管的放大作用 (内部条件是:结构特点) 判断三极管能否放大？ √ × √ × 临界 × B E C N N P UBB RB UCC IE IBN ICN ICBO 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IEN。 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICN。 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 IEN 二. 载流子的传输过程 两种载流子同时参与导电——双极型 IC = ICN+ICBO IC IB B E C N N P UBB RB UCC IE IBN ICN ICBO ICN ? IBN IEN 三. 三极管的电流分配 (常用公式) 称为C到E的穿透电流 令其为ICEO 表1 - 3 三极管电流关系的一组典型数据 2.96 2.37 1.77 1.16 0.57 0.01 0 IE/mA 2.91 2.33 1.74 1.14 0.56 0.01 0.001 IC/mA 0.05 0.04 0.03 0.02 0.01 0 -0.001 IB/mA ICBO ICEO 通常 且 （变化量之比） 交流 交流 （变化量之比） 直流 B C I I / ? b 图 1 - 34 三极管的输入特性 μA 1.3.4 三极管的特性曲线 共射特性曲线测试电路 m A mA V V IB IC UCC UBB RC R b ＋ － UBE ＋ － UCE 为什么UCE=0 时IB 比较大？ 为什么UCE增大到一定值，曲线右移就不明显了？ UCE ≥ 1V 时的输入特性具有实用意义。 一.输入特性 为什么UCE增大曲线右移？ 1.3.4 三极管的特性曲线 2.输出特性 共射特性曲线测试电路 m A mA V V IB IC UCC UBB RC R b ＋ － UBE ＋ － UCE ＋ － 1.输入特性 特点:各曲线起始段随UCE的增大迅速增大;当UCE1V之后曲线比较平坦,略有上翘,且等间隔。 为什么？ 图 1 - 35 三极管的输出特性 U C E / V 5 10 15 0 1 2 3 4 饱 和 区 截止区 I B ＝ 80 m A 60 m A 放 大 区 I C / m A 40 m A 20 m A 0 m A