高频实验报告1.docVIP

深 圳 大 学 实 验 报 告 课程名称： 高频电路 实验项目名称： 单调谐回路谐振放大器 学院： 信息工程学院 专业： 电子信息工程 指导教师： 陈田明 报告人： 高婷 学号：2012130373 班级： 3班 实验时间： 2013.4.2 实验报告提交时间： 2013. 一、实验目的 1．熟悉电子元器件和高频电子线路实验系统。 2．熟悉放大器静态工作点的测量方法。 3．熟悉放大器静态工作点和集电极负载对单调谐放大器幅频特性（包括电压增益、通频带、Q值）的影响。 4．掌握用扫频仪测量放大器幅频特性的方法。 二、实验内容 1．用万用表测量晶体管各点（对地）电压VB、VE、VC，并计算放大器静态工作点。 2．采用扫频法（以AS1637作为扫频仪）测量单调谐放大器的幅频特性。 3．用示波器观察静态工作点对单调谐放大器幅频特性的影响。 4．用示波器观察集电极负载对单调谐放大器幅频特性的影响。 三、基本原理 1．单调谐回路谐振放大器原理 单调谐回路谐振放大器原理电路如图1-1所示。图中，RB1、RB2、RE用以保证晶体管工作于放大区域，从而放大器工作于甲类。CE是RE的旁路电容，CB、CC是输入、输出耦合电容，L、C是谐振回路，RC是集电极（交流）电阻，它决定了回路Q值、带宽。为了减轻负载对回路Q值的影响，输出端采用了部分接入方式。 2．单调谐回路谐振放大器实验电路 单调谐回路谐振放大器实验电路如图1-2所示。其基本部分与图1-1相同。图中，C3用来调谐，K1、K2、K3用以改变集电极电阻，以观察集电极负载变化对谐振回路（包括电压增益、带宽、Q值）的影响。K4、K5、K6用以改变射极偏置电阻，以观察放大器静态工作点变化对谐振回路（包括电压增益、带宽、Q值）的影响。 四、实验步骤与 数据分析 1．AS1637函数信号发生器用作扫频仪时的参数予置 ⑴ 频率定标 1）频率定标个数：共设8点频率，并存储于第0~7存储单元内。若把中心频率10.7MHz置于第3单元内，且频率间隔取为1MHz，则相应地有：0单元—7.7 MHz，1单元—8.7 MHz，…，7单元—14.7 MHz。 ⑵ 其他参数设置 扫描时间设置为20ms；工作方式又设置为线性扫描， 输出幅度设置为50mV。 2．实验准备 ⑴ 在箱体左下方插上实验板6，右下方插上实验板1。接通实验箱上电源开关，此时箱体上(12V、(5V电源指示灯点亮。 ⑵ 把实验板1左上方单元（单调谐放大器单元）的电源开关（K7）拨到ON位置，就接通了+12V电源（相应指示灯亮），即可开始实验。 3．单调谐回路谐振放大器静态工作点测量 ⑴ 取射极电阻R4=1k(（接通K4，断开K5、K6），集电极电阻R3=10k(（接通K1，断开K2、K3），用万用表测量各点（对地）电压VB、VE、VC，并填入表1.1内。（R1=15 kΩ，R2=6.2 kΩ） ⑵ 当R4分别取510(（接通K5，断开K4、K6）和2k(（接通K6，断开K4、K5）时，重复上述过程，将结果填入表1.1，并进行比较和分析。 数据分析： 射极偏置电阻 实测(V) 计算(V,mA) 晶体管工作于放大区? 理由 VB VE VC VBE VCE IC 是 否 R4=1k( 12.02 1.365 9.215 2.785 √ 发射结正偏，集电节反偏， 且VBE在1.365V左右。 R4=510( 2.756 12.02 0.662 9.264 5.365 √ 发射结正偏，集电节反偏， 且VBE在0.65V左右 R4=2k( 2.844 12.04 0.63 9.196 1.402 √ 发射结正偏，集电节反偏， 且VBE在0.65V左右 4．单调谐回路谐振放大器幅频 特性测量 一般说来，有两种方法用来对一个系统的幅频特性进行测量：点测法和扫频法。这里采用扫频法，并以AS1637作为扫频仪，步骤如下。 ⑴