半导体物理问题解答.docVIP

目 录 第一章、量子力学初步 3 1、一维无限深势阱： 3 2、一维有限深势阱： 3 3、周期势（周期有限势阱）： 3 4、隧道效应： 3 第二章、晶格振动 4 1、载流子的散射： 4 2、为什么要研究晶格振动？ 4 3、一维双原子晶格的振动：分为光学波（相对，高频）和声学波（整体，低频） 4 4、为什么称为光学波？ 4 5、为什么称为声学波？ 4 6、三维晶体中的晶格振动： 4 、晶体中的电子状态 6 1、费米-狄拉克分布： 6 2、费米-狄拉克分布函数的性质： 6 晶体的能带 7 4、施主能级与受主能级 7 5、能带中的电子和空穴浓度： 8 5.1、导带电子密度 8 5.2、价带空穴密度 8 6、n型半导体（单一杂质/非补偿情形） 8 6.1、杂质弱电离/低温弱电离区（p0≈0 n0=nD+ND） 9 6.2、饱和电离(n0=ND) 9 6.3、过渡区（杂质饱和电离→本征激发）（n0=p0+ND） 9 补偿情形 9 简并的出现（重掺杂） 9 9、金属、半导体、绝缘体 10 、载流子的运动 11 漂移运动 11 2、扩散运动 11 3、爱因斯坦关系 12 、非平衡载流子 13 非平衡载流子 13 光电导现象 13 非平衡载流子寿命τ 13 、平衡p-n结 15 p-n结接触电势差 15 平衡p-n结中载流子浓度分布 15 、非平衡p-n结 16 1、平衡PN结的能带图 16 2、正偏PN结能带图 16 3、反偏PN结的能带图 16 4、p-n结在三种情况下的势垒高度及能带图 17 18 7.6、实际p-n结J-V关系 18 7.7、p-n结的击穿 18 7.7.1、雪崩击穿 18 7.7.2、隧道击穿（齐纳击穿） 19 第八章、金半接触 20 功函数和电子亲和能 20 接触电势差（金半缝隙之间的电势差Vms） 20 3、表面势：半导体表面和体内的电势差Vs 20 肖特基势垒：（金半实际接触，无缝隙） 20 表面态对接触势垒的影响 21 pn结和肖特基势垒二极管的比较 21 8.7、欧姆接触（金属-重掺杂半导体接触） 21 第九章、表面电场效应 22 9.1、半导体表面层的五种基本状态 22 第一章、量子力学初步 1、一维无限深势阱： 对于一维无限深势阱，粒子束缚于有限空间范围，这样的状态，称为束缚态。束缚于一维势阱中粒子的能量不能取连续值，其能量本征值是分立能级，组成分立谱。另外，由于n不能为0，因此粒子的能量不能为0即从量子力学的观点看，粒子不可能处于静止状态，而是处于波动状态。因为“静止的波”是没有意义的。 2、一维有限深势阱： 由于k不能取任意值而只能取一些分立的值。因此，能量也只能取一些分立的值。基本情况与无限深势阱时的相似，但与无限深势阱不同的是，即使粒子的能量E小于势阱的高度，粒子仍有一定的几率出现在阱外。粒子透入阱外的深度即透入深度，不难看出，势阱越深，透入深度越小。 3、周期势（周期有限势阱）： 单个有限势阱时，我们得到的能级是分立的，但在周期势的情况下，即在周期势中运动的粒子其能量的取值范围是分段连续的，或呈带状分布。此即电子在晶体中运动的一种近似描述。因此以量子力学可以非常方便的得出固体的能带这个物理概念。 周期势中，电子的能量只能取分段连续值，或呈带状分布。即能量不但必须是分立的，而且在某些数值范围内不能取值，即存在禁止能量取值的区域，这些区域称为禁带，从而导致能带出现。禁带在布里渊区边界处。 4、隧道效应： 粒子能够穿透比它动能更高的势垒的现象。它是粒子具有波动性的生动体现。 第二章、晶格振动 1、载流子的散射： 散射实际上是运动物体受到力场（或势场）以后运动状态发生变化的一种现象。对一个在固体中运动的电子来说，在晶体的周期势场中，有效质量已经把周期性的晶格场的作用包含在内了，因此没有受到外力的作用，载流子的运动状态不会变。不过晶体中存在使得晶体偏离理想状态的因素，例如晶体的热振动、电离的施主及受主、晶体中的缺陷等都会对载流子的运动产生干扰，使得他们的运动轨迹发生变化并使运动无序化。 只有纵长波对载流子的散射起较大的作用。这是因为纵长波能使原子之间的间距发生变化，而横波并不引起原子纵向间距的变化，所以它对载流子的散射影响不大。 2、为什么要研究晶格振动？ 晶格振动对电子运动产生额外影响，因为晶格振动表现为一种波，对一个粒子与波的相互作用研究比较困难。因此首先研究晶格振动，并通过量子力学中谐振子模型将晶格振动用一种粒子----声子来描述。 3、一维双原子晶格的振动：分为光学波（相对，高频）和声学波（整体，低频） 4、为什么称为光学波？ 一般情况下，两种原子的电负性或多或少会有差异，导致原子间有电荷转移而形成正负离子对。晶格振动导