n电子技术1-1课件.ppt

（3）流过二极管的平均电流： uD ? 2? 0 ?t URM ID = IL URM= 2 2 u （4）二极管承受的最高反向电压： IL 2.全波整流电路 + – + – 原理： + – + – 变压器副边中心抽头，感应出两个相等的电压u2 当u2正半周时， D1导通，D2截止。 当u2负半周时， D2导通，D1截止。 全波整流电压波形 u2 uL uD1 ?t ? 2? 3? 4? 0 uD2 uL ? 2? 0 ?t IL= UL /RL =0.9 u2 / RL 主要参数： （2）输出电流平均值IL ： （1）输出电压平均值UL： IL uD ? 2? 0 ?t （3）流过二极管的平均电流： ID = IL/2 （4）二极管承受的最高反向电压： 例：二极管构成的限幅电路如图所示，R＝1kΩ，UREF=2V，输入信号为ui。 (1)若 ui为4V的直流信号，分别采用理想二极管模型、理想二极管串联电压源模型计算电流I和输出电压uo 解：（1）采用理想模型分析。 采用理想二极管串联电压源模型分析。 2.限幅电路 （2）如果ui为幅度±4V的交流三角波，波形如图（b）所示，分别采用理想二极管模型和理想二极管串联电压源模型分析电路并画出相应的输出电压波形。 解：①采用理想二极管 模型分析。波形如图所示。 0 -4V 4V ui t 2V 2V uo t 0 2.7V uo t 0 -4V 4V ui t 2.7V ②采用理想二极管串联电压源模型分析，波形如图所示。 uY uA uB R0 D2 D1 +VCC +10V 3.二极管门电路 3V 0V 符号: 与门（AND gate) A B Y 0 V 0 V UD = 0.7 V 0 V 3 V 3 V 0 V 3 V 3 V 真值表 A B Y 0 0 0 1 1 0 1 1 0 0 0 1 Y = AB 电压关系表 uA/V uB/V uY/V D1 D2 0 0 0 3 3 0 3 3 导通 导通 0.7 导通 截止 0.7 截止 导通 0.7 导通 导通 3.7 一、稳压二极管 U I IZ IZmax ?UZ ?IZ 稳压误差 曲线越陡，电压越稳定。 + UZ 动态电阻： rz越小，稳压性能越好。 工作于反向击穿状态 R起调节IZ作用 -- 1.1.3 特种二极管 稳压二极管的主要 参数 (1) 稳定电压UZ —— (2) 动态电阻rZ —— 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 rZ =?U /?I rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。 (3) 最小稳定工作 电流IZmin—— 保证稳压管击穿所对应的电流，若IZ＜IZmin则不能稳压。 (4) 最大稳定工作电流IZmax—— 超过Izmax稳压管会因功耗过大而烧坏。 * 第一章 半导体二极管 及其电路分析 1.1.1 半导体的二极管的结构特点和参数 1.1.2 半导体二极管基本电路分析举例 1.1.3 特种二极管 电子技术1 电子器件与电子电路部分 1.1.0 半导体的基本知识 在物理学中。根据材料的导电能力，可以将他们划分导体、绝缘体和半导体。 典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素。 硅原子 锗原子 硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子。 本征半导体的共价键结构 束缚电子 在绝对温度T=0K时，所有的价电子都被共价键紧紧束缚在共价键中，不会成为自由电子，因此本征半导体的导电能力很弱，接近绝缘体。 一. 本征半导体 本征半导体——化学成分纯净的半导体晶体。 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。 这一现象称为本征激发，也称热激发。 当温度升高或受到光的照射时，束缚电子能量增高，有的电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。 自由电子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，称为空穴。 可见本征激发同时产生电子空穴对。 外加能量越高（温度越高），产生的电子空穴对越多。 与本征激发相反的现象——复合 在一定温度下，本征激发和复合同时进行，达到动态平衡。电子空穴对的浓度一定。 常温300K时： 电子空穴对的浓度 硅： 锗： 自由电子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 电子空穴对 自由电子