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DDR2基础知识DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降中同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。而在DDR参数基础上加入了新的三项参数标准我们首先来温习一下DDR内存参数标准。（1）CAS(Column Address Strobe)Latency：列地址选通脉冲延迟时间，即DDR-RAM内存接收到一条数据读取指令后要延迟多少个时钟周期才执行该指令。这个参数越小，内存的反应速度越快，可以设置为2.0、2.5、3.0。（2）Row-active delay（tRAS）：内存行地址选通延迟时间，供选择的数值有1～15，数值越大越慢。（3）RAS-to-CAS delay（tRCD）：从内存行地址转到列地址的延迟时间。即从DDR-RAM行地址选通脉冲(RAS，RowAddress Strobe)信号转到列地址选通脉冲信号之间的延迟周期，也是从1～15可调节，越大越慢。（4）Row-precharge delay（tRP）：内存行地址选通脉冲信号预充电时间。调节在刷新DDR-RAM之前，行地址选通脉冲信号预充电所需要的时钟周期，从1～7可调，越大越慢。（5）物理Bank：内存与CPU 之间的数据交换通过主板上的北桥芯片进行，内存总线的数据位宽等同于 CPU数据总线的位宽，这个位宽就称之为物理Bank（Physical Bank，简称P-Bank）的位宽。以目前主流的DDR系统为例，CPU与内存之间的接口位宽是64bit，也就意味着CPU在一个周期内会向内存发送 或从内存读取64bit的数据，那么这一个64bit的数据集合就是一个内存条物理Bank。（6）逻辑Bank ：在芯片的内部，内存的数据是以位（bit）为单位写入一张大的矩阵中，每个单元我们称为CELL，只要指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地定位到某个CELL，这就是内存芯片寻址的基本原理。 这个阵列我们就称为内存芯片的BANK，也称之为逻辑 BANK（LogicalBANK）。由于工艺上的原因，这个阵列不可能做得太大，所以一般内存芯片中都是将内存容量分成几个阵列来制造，也就是说存在内 存芯片中存在多个逻辑 BANK，随着芯片容量的不断增加，逻辑BANK数量也在不断增加，目前从32MB到1GB的芯片基本都是4个，只有早期的16Mbit和32Mbit的 芯片采用的还是2个逻辑BANK的设计。（7）位宽和带宽：内存的位宽是指内存在一个时钟周期内所能传送数据的位数，以bit为单位，位数越大则瞬间所能传输的数据量越大，这是内存的重要参数之一。内存的带宽是指内存在单位时间内的数据传输速率。（8）内存频率：是指在默认情况 下，内存正常工作时的额定运行频率，以MHz（兆赫兹）为单位。显存频率与显存时钟周期是相关的，二者成倒数关系，也就是显存频率＝1/显存时钟周期。因 为DDR-RAM在时钟上升期和下降期都进行数据传输，其一个周期传输两次数据，相当于SDRAM频率的二倍，所以习惯上称呼的DDR频率是其等效频率， 在其实际工作频率上乘以2，就得到了等效频率。因此所谓的PC3200内存，是指工作频率为200MHz，等效频率为400MHz的DDR内存，也就是常 说的DDR400。（9）内存封装：是指内存颗粒所采 用的封装技术类型，封装就是将内存芯片包裹起来，以避免芯片与外界接触，防止外界对芯片的损害。空气中的杂质和不良气体，乃至水蒸气都会腐蚀芯片上的精密 电路，进而造成电学性能下降。不同的封装技术在制造工序和工艺方面差异很大，封装后对内存芯片自身性能的发挥也起到至关重要的作用。显存封装形式主要有 TSOP、TSOP-II、MBGA、FBGA等。（10）SPD（Serial Presence Detect，串行存在检测）：SPD是一颗8针的EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦写可编程只读存储器）芯片。它一般位于内存条正面的右侧（如图1），采用SOIC封装形式，容量为256字节（Byte）。SPD芯片内记 录了该内存的许多重要信息，诸如内存的芯片及模组厂商