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Ku波段功率放大器的研制钱峰蒋幼泉叶育红徐波(南京电子器件研究所，邮编210016)1引言Ku波段功率放大器广泛应用于卫星通讯、点对点通信、点对多点通信以及弹载武器系 统等多个军事、民用领域。在这方面，以GaAs FET为基础的放大器制作的主流技术是采用功率内匹配和MMIC技术，而在Ku波段高端，技术上MMIC更具优势。由于应用领域的原因，国际上提供的内匹配功率管和MMIC产品频率大多至14．5aHz止，Ku波段频率高端的功率放大器产品非常少。但是，相当多的我国武器装备系统和未来的点对点通信系统使用频率均在Ku波段高端，开展本放大器研制的目的就是以MMIC技术为基础，研制输出功率达到lW以上的Ku波段高端的功率放大器产品，满足国内这方面军事、民用产品的需求。2电路拓扑针对实际需求，设计了两块MMIC单片，一是输出功率在200row的前级驱动放大器 (放大器I)，另一个是输出功率达到瓦级的功率输出级放大器(放大器2)。其电路拓扑分豳一、放大器1电路拓扑别如图一、图二所示。在放大器 设计中，考虑到匹配元件模型的 准确性，主要采用开路、短路和 传输线作为匹配元件进行设计。在放大器1设计中，输入端采用有耗匹配设计以获得好的输入驻波特性。放大器2设计中考虑到：FET器件由于输出结电容的影响随着频率的增高其输出阻抗明显降低，随着阻抗的降低，匹配电路变的更加灵敏，同时随着 频率的增高，匹配元件的寄生效 应增大，准确的设计变的更加困 难，为此设计中单个器件的栅宽．380．图2、放大器2电路拓扑不宣选择过大。设计中单个器件橱宽为500跚l，采用四个嚣件并联增大输出功率．3器件模型准确的器件非线性模型是整个放大器设计的基础，在本研究中我们采用lIP Root模型，该模型是一种基于大量测试数据的非线性模型，它直接从直流溯试和小佰号s参数涌试数据中产生大信号模型，不需要进行器件横掇和优化．在提取过程中。I-／P Root模型根据用户设置的栅电流和功耗限翻条件，计算棱潮纛件的安全工作区域。在此范圈内在多偏置点下进行测试，测量在非线性情况明显的区域加密，如I-v曲线中拐点电压附近和击穿区域附近，而在饱和线性区内降低测量密度．全部测试完成后生成衰格卷数据函数查找表，在CAD模拟过程中通过使用多维spl证”函数进行内插以获得电路分析所需的数据．1ip Root模型适用于MESFET和HEMT器件．圈3是由提取的HPRoot模型扫描的器件直流特性。随着频率的升高，徽波探针测试压点和压点到管芯的传糖线对器件模型都产生较大的影响，必须将撵针校漆剐警芯的根部，为鼍此须在GaA$萋片上I一律棚应的校准图形，。进行探针校凄帮囊蝴_蠢．尽警知此HP Root昌模型在模拟蠢箨夫璃搴特性时还悬存在明显的缺陷，由于基于舅试数撅，对击穿区域和量大漏电流区域附近的特性无法潦确测量、图3、l驴Root楱曩捶逾柏羹挣直藏描述，模拟麓簟纂瓣越方法获鼍．因此，HPRoot模型无法港疆播述器件接近馋和输出功特+唪率时的功率棒性。在使用该棋羹溢行电路模拟和优化时，需采用一些方法进杼II劫设计和限制·更准臻燃嚣韩姆和输出功率可采用EEFET3等辏型．4模拟结果盎，尊■王．■王E暑hta№图4b放大器l输出动率模拟结 图4a放大器1小信号模拟结果 果(Pin---lO，-5，0，5，8dBm)，叶＼墨／l＼／．，??-。kh№帆№^F●●●图5a放大器2小信号模拟结果图5b放大嚣2输函功率模·381·拟结果(Pin·O．．-24dBm)在提取的lip ROOT模型的基础上对放大器电路1、2进行模拟、优化，在这过程中， 根据HP ROOT模型的特点，对器件工作状态进行模拟，并由此调整匹配元件值。小信号 和输出功率模拟结果如图4、5所示。5制作工艺和器件选择单片功率放大器采用0．5um PHEMT工艺，翻作的0．5mm栅宽器件fmax～60GHz左右· 在Ku波段高端，器件频率特性比较临界，只能基本满足放大器对器件频率特性的需求。同时由于采用矩形栅工艺(未采用T形栅工艺)，因此器件单指橱宽不宜过大．设计中放大器1前级器件单指栅宽35um．后级器件单指栅宽50um；放大器2器件单指栅宽50um。 电容采用Si，N‘和TaO Ivlllvl电容，方块容值分别为260pf／mm2和600pf／mm2。电阻采用TaN 金属薄膜电阻，方块阻值25 o。整个单片工艺在南京电子器件研究所中76ram工艺线上完 成。研制的放大器芯片如图6所示。图6a放大器1芯片(芯片尺图6b放大器2芯片(芯片寸：1,4$mmX2．3ram)尺寸：3．15mmX3．14ram)研制结果由于放大器工作频率较高，常规的装配测试将对放大器的性能产生影响，不能准确的反映放大器的特性，较好的解决办图7单片放大器1小信号测试结果法是采用微波探针在