合成金刚石的主要机理摘要.pptVIP

4.3 激活低压CVD法反应势垒 图.19 引入超平衡氢原子后，在相当 于激活温度下的平衡浓度对衬底 而言，大大超过了平衡浓度，只 要超平衡H的浓度足够大，耦合 反应的自由能小于零，亦即使石 墨与金刚石的相对能级发生变化 ，引起能级差， 图.20 4.4 低压气相生长金刚石和石墨的驱动力 图.21 4.5超平衡氢原子的特殊作用 图.22 图.23 （1）反应气体的激发 ①反应气体的选择 ②反应气体的裂化 ①反应气体的选择 所有制备CVD金刚石薄膜的CVD技术都要求反应气是能激发含碳反应物的气相分子，反应气可以是脂肪烃、芳香烃、醇以及酮。烃的化学性质是关键性的。 ②反应气体的裂化 要得到合适的生长速度，必要要使反应气体裂化，目前已经有很多技术使气体裂化，有加热方式(如热丝)、电子放电(如直流、射频或微波)、或燃烧火焰(如氧乙炔炬)。裂化方式对金刚石的生长有影响。 （2）活性物质的沉积 ①基体材料的选择 ②有效沉积的获得 ③沉积速度的控制 ①基体材料的选择 CVD金刚石薄膜制备的基体材料可分为三类: (1)强碳化物形成材料,如Si、Ti、Cr、SiC、W、Mo; (2)强溶碳材料,如Fe、Co、Ni; (3)既不与碳反应又不溶碳的材料,如Cu、Au等