第二章 异质结 p-n结的一些基本概念 p-n结:由p型材料和n型材料相接触而形成的分界层,实际往往由掺杂的办法来得到。?? 同质结:同类材料而导电类型相反的p-n结。 ?? 异质结:两种不同类半导体材料所形成的p-n结。 异质结需要关注两种不同半导体材料性能参数的匹配等问题。 异质pN结的注入特性 1 .异质pN结的高注入比特性 二.表面态 (1)从能带角度 当晶体存在表面,在垂直表面方向成了半无限周期势场 表面存在而产生的附加电子能级-表面能级 对应的电子能态-表面态 (2)从化学键角度 表面是原子周期排列终止的地方 未饱和键-悬挂键 纯净表面的表面态密度为 实际表面的表面态密度为 三.表面电场效应 1.表面电场 (1)表面态与体内电子态之间交换电子 (2)金属-半导体接触 (3)MOS结构和MIS结构 2.空间电荷层及表面势 (1) n型 P型 A:电子从体内转移到表面态 -表面受主态 B:正空间电荷层 C:表面势为Vs, Vs0 D:空间电荷层能带弯曲 形成电子势垒和空穴势阱 n型 p型 A:电子从表面态转移到体内 B:负空间电荷层 C:表面势Vs, Vs0 D:形成电子势阱和空穴势垒 -表面施主态 n型 p型 空穴 势垒 电子 势阱 (2) n型 p型 3.空间电荷层内载流子浓度的变化 体内 在空间电荷层内,电势能变化
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