SiGe半体在微电子技术发展中的重要作用.docVIP

本文由wonringking贡献 pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 第 38 卷第 1 期 2008 年 2 月 微 电 子 学 Microelect ronics Si Ge 半导体在微电子技术发展中的重要作用 谢孟贤1 , 古妮娜2 　 ( 1. 电子科技大学 微电子与固体电子学院 , 成都 　 610054 ; 2. 台积电 ( 上海) 有限公司 , 上海 　 201616) ( 1 . S chool of M icroelect ronics an d S oli d S t ate Elect ronics , Uni v . Elec. S ci. an d Technol . of Chi na , Chen g d u 610054 , P. R. Chi na; istics in f requency and speed imp rovement . Important f unction of Si Ge semico nducto r in technology develop ment of using st rain) is emp hasized specifically. Moreover , t he current develop ment of Si Ge devices and ICs is discussed. 2520 EEACC : 　 1　 　 引 言 势的半导体材料 。尽管最早采用的是 Ge ,并且其他 某些半导体材料也许具有较高的载流子迁移率 、 较 大的载流子饱和漂移速度和较宽的禁带宽度 , 但由 于 Si 的许多优良特性 ,特别是能方便地形成极其有 用的绝缘膜 —— 2 膜 ,而且在 Si 工艺中也能够方 — SiO 便地使用另一种很有价值的绝缘膜 ——Si3 N 4 膜 , — 在整个微电子技术中 ,Si 器件的应用超过了 97 % 。 从而利用 Si 能够实现最廉价的集成电路工艺 ,所以 虽然现在 Si 在微电子技术中占据着主导地位 , 但是由于其载流子的迁移率和饱和漂移速度较低 , 而且具有间接跃迁能带结构 , 限制了它在若干方面 收稿日期 :2007212204 ; 　 定稿日期 :2007212230 摘 　 : 　 Si2BJ T 和 Si2F E T 集成电路在提高频率 、 要 从 速度上的困难 , 到 Si Ge2 HB T 和 Si Ge2F E T 及其集成电路的优异特性 ,论述了 Si Ge 半导体在 Si 基微电子技术发展中的重要作用 ; 特别强调了 应变增强载流子迁移率 — 应变工程技术的重要作用 。介绍了 Si Ge 器件及其集成电路的发展概况 。 关键词 : 　 双极型晶体管 ; 异质结双极型晶体管 ; Si Ge2 HB T ; Si Ge2BiCMOS ; 调制掺杂场效应晶 体管 ; 应变工程 ; Si Ge2F E T 中图分类号 : 　TN304. 2 + 4 　　　　　　 文献标识码 : 　 　　　　　　 文章编号 :100423365 (2008) 0120034210 A Important Function of Si Ge Semiconductor in Technology Development of Microelectronics XIE Meng2xian1 , GU Ni2na2 2 . Prod uct Desi gn S ervice Center , T S M C( S han g hai) Com pany L i mite d , S han g hai 201616 , P. R. Chi na) 30 多年以来 ,Si 一直是半导体工业中占绝对优 Abstract : 　 Compared wit h Si2BJ T and Si2FET ( IC’) , Si Ge2 HB T and Si Ge2FET ( IC’) have excellent character2 s s Si2based microelect ro nis is reviewed. The impo rtant role of st rain engineering (i. e. carrier mobility enhancement by Key words : 　 T ; HB T ; Si Ge2 HB T ; Si Ge2BiCMOS ; MODFET ; St ra