题外3：匹配MOS解剖.ppt

Spring 2011 IC工艺和版图设计 题外3：匹配MOS Copyright by Huang Weiwei 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 Fall 2011 CHR3- 华侨大学信息学院电子工程系厦门专用集成电路系统重点实验室 Fall 2011 主讲：黄炜炜 Email：hww@hqu.edu.cn 1.一致性：匹配器件的质心至少应该接近一致，理想情况下质心应该完全重合 2.对称性：阵列同时相对于X轴和Y轴对称 3.分散性：阵列具有最大程度的分散性，即器件组成部分应尽可能分布在阵列中 4.紧凑型：阵列应尽可能紧凑，理想情况下应接近于正方形 5.方向性：每个匹配器件中应该包含等量的朝向相反的段。或者说匹配器件应具有相等的手征值。 两种布局可能引起的失配电流是多少？ 假设MOS管沿着X轴方向，每个MOS阈值电压之间相差△Vth 如果阈值电压存在偏差 布局 A管总电流： B管总电流： AB电流失配： 布局 A管总电流： B管总电流： AB电流失配： 3:3布局那种方法失配最小 方案1：AAABBB 方案2：AABABB 方案3：ABBAAB 方案4：ABABAB