锗的带隙宽度测量实验讲稿.docVIP

锗 的 带 隙 宽 度 测 量 班级：物理实验班21 姓名：黄忠政 学号：2120909006 一、实验目的? 1.?当通过纯的锗晶体的电流是恒定时，晶体两端的电压降是温度的函数，以此原理设定实验来计算锗晶体电导率s与温度的关系。 2.确定锗的带隙宽度Eg?。 二、实验原理? 根据欧姆定律，电流密度和电场?E?的关系j?=σE? 系数σ被称为电导率，由于此参数强烈依赖于材料本身性质，因此可以依其将材料按照导电性分为导体、半导体和绝缘体。例如，对半导体固体而言，在低温下不产生电流，而在较高温度下可测得其电导率。其电导率由温度决定的原因是半导体具有特定的电子能带结构。对于这种价电子带，全部或部分填充在基态的最高带，导电带和下面 未被填充的带之间被带隙?Eg?所分割。两个带之间是不被电子填充的，未掺杂的，称为禁区。而在高温下，越来越多的电子从价电