三极管结构原理.pptVIP

1 半导体三极管 一、 基本结构 二、 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 2. 各电极电流关系及电流放大作用 结论: 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化， 三极管结构类型 三极管结构类型 1．类型类型 (1)三极管按制造材料的不同，分为锗管和硅管。硅管受温度影响较小，工作较稳定，因此电子设备上常用硅管。 (2)按三极管内部基本结构的不同，分为NPN型和PNP型两种。目前我国生产的硅管多数是NPN型锗管多数是PNP型。 (3)按工作频率不同，可分为高频管(工作频率f》3 MHz)和低频管(工作频率f3 MHz)。 (4)按用途的不同，分为普通放大管和开关管等。 (5)按功率不同，分为小功率管(耗散功率1 W)和大功率管(耗散功率》1 W)。 5．3．3三极管的三种工作状态 1．放大状态 三极管处于放大状态的条件是发射结正向偏 置，集电结反向偏置，此时三极管各极电流之间的 关系为 2．饱和状态 三极管处于饱和状态的条件是发射结正向偏置，集电结也正向偏置。 3．截止状态 三极管处于截止状态的条件是发射结反向 偏置(或零偏置)，集电结反向偏置，因而各极 电流为零(或很小)，所以三极管在截止状态时 也没有放大作用。 小结 本届讲授了三极管的基本结构和三种工作状态及工作条件 作业：1、三极管有几种类型，并画出电路图符号。 2、三极管的工作状态有几种，并解释个工作状态的条件？ * 三极管及放大电路 半导体三极管的结构 基本放大电路 N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 B E C B E C PNP型 P P N 基极 发射极 集电极 符号： B E C IB IE IC B E C IB IE IC NPN型三极管 PNP型三极管 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 B E C N N P EB RB EC RC 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 1）三个电极电流关系 IE= IB + IC 2） IC ?? IB ， IC ? IE 3） ? IC ?? ? IB 集电极与发射电极间电压为 * * *