固体物理第26次课讲义.doc

第 26 次 课 教学目的：掌握常见半导体的能带结构的特点；掌握共振吸收。 教学内容：§7.1 半导体的能带结构 重点难点：半导体的能带结构； 共振吸收 §7.1 半导体的能带结构 一、半导体能带极值附近 E(k) 的分布 1. K 空间的等能面 (1) 极值点 k0 为 (kx0, ky0, kz0). 能量 E 在极值点 k0 附近的展开 其中： 移项后： 在长轴方向: m*大, E 的变化缓慢, 在短轴方向: m*小, E 的变化快. (2) 极值点 k0 正好在某一坐标轴上 能量 E 在 K 空间的分布为一旋转椭球曲面设 k0 在 Z 轴上,晶体为简立方晶体,以 Z 轴为旋转轴. mt 为横向有效质量, ml 为纵向有效质量 若 mlmt, 为长旋转椭球 mtml,为扁形旋转椭球 (3) 极值点 k0 在原点 能量 E 在波矢空间的分布为球形曲面 2. 回旋共振法 将一半导体样品放在一均匀恒定的磁场B中,电子在磁场中作螺旋运动,它的回旋频率ωc与有效质量(对于球形等能面)的关系为: 再以电磁波通过半导体样品，当交变电磁场频率 ( 等于 (c 时，就可以发生共振吸收。 测出共振吸收时电磁波的频率 ( 和磁感应强度 B，便可算出有效质量 m*。 可以确定能带极值附近 E(k) 与 k 的关系。 E(k)等能面的球半径为: 如果等能面是椭球面，则有效质量是各向异性的。沿kx, ky, kz 轴方向分别为mx*, my*, mz*。 设 B 沿 kx, ky, kz 轴的方向余弦分别为(，(，(，则 二. 半导体的能带结构 1. 元素半导体的能带结构 金刚石结构 硅和锗的能带结构 导带 导带最低能值 ——[100]方向 极大值点 k0 在坐标轴上。 共有6个形状一样的旋转椭球等能面。 （2）价带 价带极大值 ——位于布里渊区的中心（坐标原点K=0） E(k)为球形等能面 存在极大值相重合的两个价带：外面的能带曲率小，对应的有效质量大，称该能带中的空穴为重空穴 ，(mp*)h 。内能带的曲率大，对应的有效质量小，称此能带中的空穴为轻空穴，（mp*)l 。 锗的能带结构 导带最低能值 ——[111]方向布里渊区边界 E(k)为以[111]方向为旋转轴的椭圆等能面 存在有四个这种能量最小值 价带极大值——位于布里渊区的中心（K=0） 存在极大值相重合的两个价带 外面的能带曲率小，对应的有效质量大，称该能带中的空穴为重空穴 。 内能带的曲率大，对应的有效质量小，称此能带中的空穴为轻空穴。 Ge、Si能带结构的主要特征 禁带宽度Eg随温度增加而减 且 Si：dEg/dT=-2.8×10-4eV/K Ge: dEg/dT=-3.9×10-4eV/K Eg: T=0: Eg(Si) = 0.7437eV Eg(Ge) = 1.170eV 多能谷结构： 锗、硅的导带分别存在四个和六个这种能量最小值，导带电子主要分布在这些极值附近，通常称锗、硅的导带具有~。 间接带隙半导体： 硅和锗的导带底和价带顶在 k 空间处于不同的 k 值。 2. III－V族化合物的能带结构 GaAs的能带结构 闪锌矿结构 导带有两个极小值：一个在k=0处，为球形等能面，， 另一个在[100]方向，为椭球等能面，能量比 k=0处的高 0.36eV， 价带顶也在坐标原点，k=0，球形等能面，也有两个价带，存在重、轻空穴。 GaAs的导带的极小值点和价带的极大值点位于K空间的同一点，这种半导体称为直接带隙半导体。 锑化铟的能带结构 导带极小值在 k=0处, 球形等能面, mn*=0.0135 m0 非抛物线型 价带包含三个能带：重空穴带V1 轻空穴带V2 能带V3（L-S耦合） 价带顶在k=0，T=20K时， 重空穴有效质量： 沿[111] 0.44m0 沿[110] 0.42m0 沿[100] 0.32m0 轻空穴有效质量 0.016m0 III-V 族能带结构的主要特征 能带在布里渊区中心简并，一重空穴带、 轻空穴带及第三个能带（L－S） 价带极大值稍偏离布里渊区中心 导带极小值在[100]、[111]方向和布里渊 区中心 (导带电子的有效质量不同 (重空穴有效质量相差很少 (原子序数较高的化合物，禁带宽度较窄 III－V族混合晶体的能带结构 连续固溶体 混合晶体，能带结构随成分的变化而连续变化