计算机组成原理第三章(4）.ppt.pptVIP

计算机组成原理 沈阳工业大学软件学院 姜岩 3.2.2 半导体存储器存储原理 ㈠ 双极型存储单元与存储原理 ⒈ TTL型存储单元 3.2.2 半导体存储器存储原理 ⒉ TTL型存储器芯片举例 （SN74189） 16脚双列直插式封装 存储容量16单元×4位 3.2.2 半导体存储器存储原理 ㈡ 静态MOS存储单元存储原理 ⒈ 静态MOS存储单元电路 Vcc T3 T1 T4 T2 T5 T6 Z W ⑴ 组成 触发器 T1、T3：MOS反相器 T2、T4：MOS反相器 T5、T6：控制门管 Z：字线（选择存储单元） W、 W： ⑵ 定义 “0”：T1导通，T2截止； “1”：T1截止，T2导通。 W 位线（完成读写） ⑶ 工作 Z：加高电平，T5、T6导通，选中该单元。 写入：在W、W上分别加高、低电平，写1/0。 读出：根据W、W上有无电流，读1/0。 3.2.2 半导体存储器存储原理 ⑷ 保持 Z：加低电平，只要电源正常，保证向导通管提供电流，便能维持一管导通，另一管截止的状态不变，∴称静态。 静态单元是非破坏性读出，读出后不需重写。 3.2.2 半导体存储器存储原理 ⒉ 静态MOS存储芯片举例 （Intel 2114） 2114（1K×4） 1 9 10 18 A6 A5 A4 A3 A0 A1 A2 CS GND Vcc A7 A8 A9 D0 D1 D2