实验22MOSFET的低频CV特性测量.docVIP

实验22 MOSFET的低频CV特性测量 MOSFET的低频CV特性测量就是通过对MOSFET的电容-电压(C-V)特性测试，进而得出氧化层厚度、衬底掺杂浓度、氧化层电荷密度、耗尽层电荷密度以及阈值电压等参数。CV测试被广泛地应用在半导体参数的测量中，是一种能够得到许多工艺参数的重要测试手段，能够有效地评估工艺、材料及器件的性能。该方法是通过在栅极直流偏置条件下叠加小幅交流低频信号后，MOSFET栅电容随栅电压变化而发生变化，由此得出电容电压关系曲线，进而计算出各种工艺参数。具有原理简单操作方便测量精度高。本实验目的电容-电压法测量基本原理学会、的使用方法。 MOSFET电容MOSFET中的电容与施加电压。栅极衬底电容取决于所施加的直流电压在直流电压上叠加幅度小得多的交流电压进行测量。图栅电压从负值变到正值时NMOS晶体管的。图1 栅电压变化时NMOS结构的能带图、电荷分布和等效电容 当衬底保持栅极负电压，MOSFET结构的电容将开始存储正电荷表面将有比受主NA更高的空穴，这称为表面积累。在此条件下氧化层两面的电荷能迅速响应施加电压的变化，器件就如同是一个厚度为 t 的平板电容器，COX表示值。保持栅极电压，栅极与之间正电压的增加更多受主暴露于表面表面的载流子被耗尽，所谓表面耗尽。静电分析表明总电容是C和耗尽区电容C的串联。进一步增加，能带将在显著弯曲。耗尽区达到最大宽度