射频电路理论与技术-Lectrue10(固态有源元件1)讲义.ppt

半导体基础 当金属与N型半导体接触时，若 ，在半导体表面 处形成正的空间电荷区，电场方向由半导体体内指向表面， 即半导体表面电势较体内为低。若半导体体内电势为0，半 导体表面电势用 代表，则有 ，这时半导体表面电 子势能高于体内，能带向上弯曲形成表面势垒，表面处由于 电子逸出而使浓度较体内为小。 金属的功函数小于半导体的功函数: 金属和N型半导体接触反阻挡层 金属带正电、半导体带负 电，电场方向由金属指向半导 体，半导体表面电势高于体内 电势，半导体表面处电子势能 较体内为低，能带向下弯曲。 半导体基础 （2) 金属与P型半导体形成金半接触 金属与P型半导体形成金半接触的情形正好与N型相反， 当 时，形成反阻挡层，而 时，形成阻挡层。 2. 金半接触的整流特性 以金属与N型半导体接触构成金半结、而且 的情 况为例说明金半接触的整流特性。 （1)金半结两端施加正向偏压V（即金属端接外电源的正极，而N型半 导体端接外电源的负极） 金半结加正向偏压 “正向导通” 金半结的理想“伏安特性 （ 特性）方程”为： 半导体基础 （2)金半结两端施加反向偏压V（即金属端接外电源的负极，而N型半 导体端接外电源的正极） 金半结加反向偏压 金半结的电压