项目一半导体器件基础2学习文稿.PPTVIP

项目一、 半导体器件基础 本征半导体 — 半导体中存在两种载流子：自由电子和空穴。 结论： 磷原子 死区电压 硅管 0.5V,锗管0.1V 三极管实物图 1.2 二极管的伏安特性 U I 反向击穿电压UBR 导通压降: 硅管0.6~0.8V, 锗管0.1~0.3V。 正向特性 反向击穿 电击穿 热击穿 反向击穿原因： 齐纳击穿： (Zener) 雪崩击穿： — PN 结未损坏，断电即恢复。 — PN 结烧毁。 反向击穿类型： 反向电场太强，将电子强行拉出共价键。 反向电场使电子加速，动能增大，撞击 使自由电子数突增。 PN结的反向击穿 当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。 1.3 二极管的主要参数 1. IF — 最大整流电流(最大正向平均电流) 2. URM — 最高反向工作电压，为 U(BR) / 2 3. IR — 反向电流(越小,单向导电性越好) 4. fM — 最高工作频率(超过时,单向导电性变差) 影响工作频率的原因 — PN 结的电容效应 以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。 结论： (1) 低频时，因结电容很小，对 PN 结影响很小。 高频时，因容抗增大，使结电容分流，导致单向导电性变差。 (2) 结面积