(a)pn结加正向电压.pptVIP

第3章 半导体二极管及其基本应用电路 主要内容： 第3章　半导体二极管及其基本应用电路 　　空间电荷区的正负离子数目发生变化，如同电容的放电和充电过程。 　　由于 PN 结 宽度 l 随外加电压 U 而变化，因此势垒电容 Cb不是一个常数。其 Cb = f (U) 曲线如图示。 ? ：半导体材料的介电比系数； S ：结面积； l ：耗尽层宽度。 O U Cb 图 1.2.8 （2）. 扩散电容 Cd 是由多数载流子在扩散过程中积累而引起的。 　　当加反向电压时，扩散运动被削弱，扩散电容的作用可忽略。 　　正向电压时，变化载流子积累电荷量发生变化，相当于电容器充电和放电的过程 —— 扩散电容效应。 （3）结电容 　　PN 结总的结电容 Cj 包括势垒电容 Cb 和扩散电容 Cd 两部分。 　　Cb 和 Cd 值都很小，通常为几个皮法--几十皮法，有些结面积大的二极管可达几百皮法。 结电容不是常量！若PN结外加电压频率高到一定程度，则失去单向导电性！ 讨论一 为什么将自然界导电性能中等的半导体材料制成本征半导体，导电性能极差，又将其掺杂，改善导电性能？ 为什么半导体器件的温度稳定性差？是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素？ 为什么半导体器件有最高工作频率？ 　　晶体二极管是由PN结构成的一种最简单的半导体器件，由于其单向导电性而在