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光电材料与半导体器件  PN结 本章内容 5.1 PN结的形成 5.2 PN结的单向导电性 5.3 PN结的击穿特性 5.4 PN结的电容效应 5.5 PN结的温度特性 P型半导体和N型半导体相结合——PN结 PN结是构造半导体器件的基本单元。其中，最简单的晶体二极管就是由PN结构成的。 P N 在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程: 因浓度差 ? 多子的扩散运动?由杂质离子形成空间电荷区 ? 空间电荷区形成内电场 ? ? 内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散 5.1 PN结的形成 扩散运动：空间电荷区展宽 漂移运动：空间电荷区变窄 多子的扩散和少子漂移运动达到动态平衡。 P区和N区的掺杂浓度相同对称结 耗尽层 势垒区 电位U 电子势能 不对称PN结 如果P区和N区一边掺杂浓度大(重掺杂)，一边掺杂浓度小(轻掺杂)，则称为不对称结，用P+N或PN+表示(+号表示重掺杂区)。这时耗尽区主要伸向轻掺杂区一边. 5.2 PN结的单向导电特性 PN结的单向导电性只有在外加电压时才会表现出来 （一）、PN结加正向电压 Ｐ－正, Ｎ－负。正向电压或正向偏置(简称正偏) PN结处于导通状态, 表现为一个很小的电阻 外电场 正向电流IF 扩散运动大于漂移运动 多数载流子形成的扩散电流起支配作用 少数载流子形成的漂移电流方向相反，很小，可忽略。 （二）、PN结加反向电压 将电源的正极接Ｎ区, 负极接Ｐ区——PN结加反向电压或反向偏置(简称反偏) PN结处于截止状态, 呈现出一个很大的电阻(高达几百千欧以上)。 外电场 漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流 故少子形成 的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为 反向饱和电流IS。 在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的 综上所述：PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。 即PN结具有单向导电特性。 关键在于耗尽层的存在 ID UBR PN结U-I特性曲线 伏安特性方程 加正向电压时，UD只要大于UT几倍以上， 加反向电压时，|UD|只要大于UT几倍以上，则 ID≈–IS UT热电势。室温下即T=300K时,UT=26mV PN结的伏安特性 5.3 PN结的击穿特性 当反向电压超过UBR后稍有增加时，反向电流会急剧增大，这种现象称为PN结击穿，并定义UBR为PN结的反向击穿电压。 电击穿 热击穿 PN结发生电击穿的机理可以分为两种——雪崩击穿和齐纳击穿 （一）雪崩击穿 在轻掺杂的PN结中，当外加反向电压时，耗尽区较宽，少子漂移通过耗尽区时被加速，动能增大。当反向电压大到一定值时，在耗尽区内被加速而获得高能的少子，会与中性原子的价电子相碰撞，将其撞出共价键，产生电子、空穴对。新产生的电子、空穴被强电场加速后，又会撞出新的电子、空穴对。如此链锁反应, 使反向电流迅速增大。这种击穿称为雪崩击穿。 （二）齐纳击穿 在重掺杂的PN结中，耗尽区相对很窄，所以不大的反向电压就能在耗尽区内形成很强的电场。当反向电压大到一定值时，强电场足以将耗尽区内中性原子的价电子直接拉出共价键，产生大量电子、空穴对，使反向电流急剧增大。这种击穿称为齐纳击穿或场致击穿。 一般来说，对硅材料的PN结，UBR7V时为雪崩击穿； UBR 4V时为齐纳击穿； UBR介于4~7V时，两种击穿都有。 发生击穿并不一定意味着PN结被损坏。 当PN结反向击穿时, 只要注意控制反向电流的数值(一般通过串接电阻Ｒ实现), 不使其过大, 以免因过热而烧坏PN结, 当反向电压(绝对值)降低时, PN结的性能就可以恢复正常。 稳压二极管正是利用了PN结的反向击穿特性来实现稳压的, 当流过PN结的电流变化时, 结电压基本保持不变。 5.4 PN结的电容特性 按电容的定义 即电压变化将引起电荷变化, 从而反映出电容效应。而ＰＮ结两端加上电压, ＰＮ结内就有电荷的变化, 说明ＰＮ结具有电容效应。 PN结的电容效应势垒电容CB和扩散电容CD两部分组成。 (1) 势垒电容CB? 势垒电容是由耗尽区的空间电荷区引起的。 当外加反向电压增大时，耗尽层变宽，空间电荷量增加，犹如电容