半导体物理(第七章).pptVIP

关于功函数的几点说明: 隧道效应的影响 微观粒子要越过一个势垒时，能量超过势垒高 度的微粒子，可以越过势垒，而能量低于势垒高 度的粒子也有一定的概率穿过势垒，其他的则被 反射。这就是所谓微粒子的隧道效应。 两种理论结果表示的阻挡层电流与外加电压变化关系基本一致，体现了电导非对称性——正向电压，电流随电压指数增加；反向电压，电流基本不随外加电压而变化 JSD与外加电压有关；JST与外加电压无关，强烈 依赖温度T。当温度一定，JST随反向电压增加 处于饱和状态，称之为反向饱和电流。 结论：只有在反向电压较高时，电子的动能较大， 使有效势垒高度下降较多，对反向电流的影 响才是显著的。 7.2.3 肖特基势垒二极管 肖特基势垒二极管——利用金属-半导体整流接触特性制成的二极管。 与pn结的相同点： 单向导电性。 与pn结的不同点： pn结正向电流为非平衡少子扩散形成的电流,有显著的电荷存储效应；肖特基势垒二极管的正向电流主要是半导体多数载流子进入金属形成的，是多子器件，无积累，因此高频特性更好。 肖特基二极管JsD和JsT比pn结反向饱和电流Js大得多，因此对于同样的使用电流，肖特基二极管有较低的正向导通电压。 n型阻挡层，体内电子浓度为n0，接触面处的电子浓度是 电子的阻挡层就是空穴积累层。在势垒区，