- 13
- 0
- 约7.1千字
- 约 11页
- 2016-11-27 发布于湖北
- 举报
第一章
名称解释
1.光通量
2坎德拉
3.照度
4半导体中的非平衡载流子
5绝对黑体
6基尔霍夫定律
7热噪声
8产生-复合噪声
91/f噪声
知识要点
半导体材料的光吸收效应
(1)本征吸收
(2)杂质吸收
2.非平衡载流子浓度
载流子复合过程一般有直接复合和间接复合两种。
物体的光谱发射率总等于其光谱吸收比。也就是强吸收体必然是强发射体。
维恩位移定律指出:当绝对黑体的温度增高时,单色辐出度的最大值向短波方向移动。
光电子发射过程可以归纳为以下三个步骤:
(1)物体吸收光子后体内的电子被激发到高能态;
(2)被激发电子向表面运动,在运动过程中因碰撞而损失部分能量;
(3)克服表面势垒逸出金属表面。
一般光电检测系统的噪声包括三种:
(1) 光子噪声 包括:信号辐射产生的噪声和背景辐射产生的噪声。
(2)探测器噪声 包括:热噪声、散粒噪声、产生-复合噪声、1/f噪声和温度噪声。
(3)信号放大及处理电路噪声
在半导体器件中1/f噪声与器件表面状态有关。多数器件的1/f 噪声在300Hz以上时已衰减到很低水平,所以频率再高时可忽略不计。
在频率很低时;l/f 噪声起主导作用;当频率达到中间频率范围时,产生-复合噪声比较显著;当频率较高时,只有白噪声占主导地位,其它噪声影响很小了
原创力文档

文档评论(0)