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- 2016-11-27 发布于湖北
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第 26 次 课
教学目的:掌握常见半导体的能带结构的特点;掌握共振吸收。
教学内容:§7.1 半导体的能带结构
重点难点:半导体的能带结构; 共振吸收
§7.1 半导体的能带结构
一、半导体能带极值附近 E(k) 的分布
1. K 空间的等能面
(1) 极值点 k0 为 (kx0, ky0, kz0).
能量 E 在极值点 k0 附近的展开
其中:
移项后:
在长轴方向: m*大, E 的变化缓慢,
在短轴方向: m*小, E 的变化快.
(2) 极值点 k0 正好在某一坐标轴上
能量 E 在 K 空间的分布为一旋转椭球曲面设 k0 在 Z 轴上,晶体为简立方晶体,以 Z 轴为旋转轴.
mt 为横向有效质量, ml 为纵向有效质量
若 mlmt, 为长旋转椭球
mtml,为扁形旋转椭球
(3) 极值点 k0 在原点
能量 E 在波矢空间的分布为球形曲面
2. 回旋共振法
将一半导体样品放在一均匀恒定的磁场B中,电子在磁场中作螺旋运动,它的回旋频率ωc与有效质量(对于球形等能面)的关系为:
再以电磁波通过半导体样品,当交变电磁场频率 ( 等于 (c 时,就可以发生共振吸收。
测出共振吸收时电磁波的频率 ( 和磁感应强度 B,便可算出有效质量 m*。
可以确定能带极值附近 E(k) 与 k 的关系。
E(k)等能面的球半径为:
如果等能
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