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高频电子电路第2章_选频网络摘要.ppt

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结论: 由低抽头向高抽头转换时,等效阻抗提高 倍。 由高抽头向低抽头转换时,等效阻抗提高 倍。 在高频电子线路中,常采用图3.5.2所示的两种耦合回路。图3.5.2(a)为互感耦合串联型回路;(b)为电容耦合并联型回路。 图 3.5.2 两种常用的耦合回路 一、互感耦合回路的一般性质 图3.5.3 互感耦合回路的一般形式 由基尔霍夫定律得出回路电压方程为 式中,Z11为初级回路的自阻抗,即Z11=R11+jX11, Z22为次级回路的自阻抗,即Z22=R22+jX22。 由基尔霍夫定律得出回路电压方程为 解得 图3.5.4 初级等效电路 反射阻抗,又称为耦合阻抗,它的物理意义是:次级电流通过互感M的作用,在初级回路中感应的电动势对初级电流的影响,可用一个等效阻抗Zf1来表示。 图3.5.5 次级等效电路的两种形式 在次级回路中反射阻抗Zf2: 图3.5.5 次级等效电路的两种形式 图3.5.6 矩形选频特性与单回路谐振曲线 二、耦合振荡回路的频率特性 广义失谐量: 耦合因数(电容耦合电路): 图3.5.7 次级回路电压归一化 的频率响应曲线 一般采用?稍大于1,这时在通带内放大均匀,而在通带外衰减很大,为较理想的幅频特性。 图 3.6.1 LC集中选择性滤波器 一、LC集中选择性滤波器 为了获得工作频率高度稳定、阻带衰减特性十分陡峭的滤波器,就要求滤波器元件的品质因数Q很高。LC型滤波器的品质因数一般在100~200范围内,不能满足上述要求。 石英谐振器的品质因数Q可达几万甚至几百万,因而可以构成工作频率稳定度极高、阻带衰减特性很陡峭、通带衰减很小的滤波器。 二、石英晶体滤波器 l. 压电效应和压电振荡 在石英晶体两个管脚加交变电场时,它将会产生一定频率的机械变形,而这种机械振动又会产生交变电场,上述物理现象称为压电效应。 通常,压电效应并不明显。但是,当交变电场的频率为某一特定值时,机械振动和交变电场的振幅骤然增大,产生共振,称之为压电振荡。 图 3.6.2 石英谐振器的符号 和基频等效电路 2. 石英晶体的等效电路和振荡频率 图 3.6.2 石英谐振器 基频等效电路 当石英晶体不振动时,可等效为一个平板电容C0,称为静态电容;其值决定于晶片的几何尺寸和电极面积,一般约为几~几十pF。 当晶片产生振动时,机械振动的惯性等效为电感Lq,其值为几mH~几十H。 晶片弹性等效为电容Cq,为0.01~0.1pF,∴Cq C0 。 晶片的摩擦损耗等效为电阻rq,约为100Ω,理想情况下rq=0。 当等效电路中的Lq、Cq、rq支路产生串联谐振时,该支路呈纯阻性,等效电阻为R,谐振频率 此时,整个网络的阻抗等于R并联C0的容抗,因R C0的容抗,故可近似认为整体也呈纯阻性,等效电阻为R。 当f< f s时,串联支路呈容性,石英晶体呈容性。 当f >f s时,L、C和R支路呈感性,在某一频率将与C0产生并联谐振,石英晶体又呈纯阻性,谐振频率: 由于Cq C0,所以f s ≈f p。 当f >f p时, C0容抗最大,起主导作用,石英晶体又呈容性。 O 容性 容性 感 性 图 3.6.2 石英晶体谐振器的电抗曲线 3. 石英晶体滤波器的特点 频率稳定度很高 它具有很高的Q值,高达104 ~ 106,即频率选择性好。 b rq L q Cq C o a 其次,晶体的C0Cq, 它的接入系数p ≈ Cq /C0很小,大大减小了加到晶体两端的外部电路元件对晶体的影响。 考虑信号源内阻RS和负载电阻RL后,由于回路总的损耗增大,回路Q值将下降,称其为等效品质因数QL。 为了区别起见,把没有考虑信号源内阻和负载电阻时回路本身的Q值叫做无载Q值(或空载Q值),用Q0表示;而把考虑信号源内阻和负载电阻时的Q值叫做有载Q值,用QL表示。 由于QL值低于Q0,因此考虑信号源内阻及负载电阻后,串联谐振回路的选择性变坏,通频带加宽。 2. 电源内阻与负载电阻的影响 要研究并联振荡回路的选频特性,可以考察其阻抗随频率变化的规律。 损耗电阻 损耗电阻 回路的总阻抗 通常,损耗电阻R在工作频段内满足: 或 高Q 采用导纳分析并联振荡回路及其等效电路比较方便,为此引入并联振荡回路的导纳。 一、并联振荡回路特性 损

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